本文档是关于ARM® Cortex®-M3内核的高等容量基本型
单片机STM32F101xC, STM32F101xD,STM32F101xE的数据手册， 介绍了它的主要外设资源和电特性参数。
特征：
核心：ARM 832位Cortex3-M3 CPU36 MHz最大频率，1.25 DMIPS/MHz(Dhnystone 2.1)性能
单周期乘法与硬件除法
记忆
-256至512千字节的闪存
-至多48千字节的SRAM
-带有4的柔性静态存储器控制器
芯片选择。支持紧凑型闪存
SRAM，pSRAM，NOR和NAND
记忆
LCD并行接口，8080/6800模式时钟、复位和供应管理
一2.0至3.6V应用程序提供和L/O
一POR、PDR和可编程电压
探测器(PVD)
-4-t0-16 mhz晶体振荡器
-Internal 8 MHz factory-trimmed RC
-内部40千赫钢筋混凝土校准
能力
-32 kHz RTC振荡器的校准
