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STM32L162xE】本文档是关于基于ARM® Cortex®-M3 内核的超低功耗32位
单片机STM32L162xE的数据手册， 介绍了它的主要外设资源和电特性参数。
特征：
超低功率平台
一1.65V至3.6V
电源
一-40°C~105°C。C温度范围
一290NA待机模式(3个唤醒引脚)
-1.11μA备用模式+rtc
一560 NA停止模式(16条唤醒线)
一1.4μA停止模式+rtc
-11μA低功耗运行模式降至4.6μA
低功耗睡眠模式
195μA/MHz运行模式
一10 nA超低/O泄漏
一8μ的唤醒时间
AES 128位加密硬件加速器
核心：ARM 8 Cortex-M3 32位cpu
一从32kHzup到32MHzmax
一1.25DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)
一存储器保护单元
多达34个电容传感信道
CRC计算单元，96位唯一ID
重置和供应管理
一低功耗，超音波(通电复位)
有5个可选择的阈值
-超低功耗POR/PDR
-可编程电压检测器(PVD)
