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STM32F413xG STM32F413xH】本文档是关于ARM® Cortex®-M4内核的的
单片机 STM32F413xG, STM32F413xH 数据手册， 介绍了它的主要外设资源和电特性参数。
特征：
基于eBAM(增强)的动态效率线批获取模式)
-1.7 V至3.6 V
电源
一-40°C至85/105/125℃温度范围
核心：ARM@32位Cortex8-M4 CPU和FPU，自适应实时加速器(ART)允许0-等待状态执行从闪存，频率高达100兆赫，存储器保护单元，125 BMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令
记忆
一最多为1.5M字节的闪存
-320千字节的SRAM
-柔性外部静态存储器控制器
有最多16位的数据总线：SRAM，pSRAM，
非闪存
-双模四极SPI接口
LCD并行接口，8080/6800模式
时钟、复位和供应管理
一1.7至3.6V应用程序供应和L/O
-POR、PDR、PVD和BOR。
-4-t0-26 mhz晶体振荡器
内部16 mhz工厂修剪rc
32 kHz定标RTC振荡器
一内部32 kHz钢筋混凝土校准
功耗
运行：112个μA/MHz(外围设备关闭)
一停止(闪存在停止模式下，快速唤醒
时间)：42μA Typ.；80μAmax@25°C
一停止(在深断电模式下闪存，
(慢醒时间)：15μA型；
46μAmax@25°C
无RTC备用：1.1μA型；
14.7μ在@85°C下的最大值
-VBAT为RTC提供：1 UA@25°C
