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STM32L041XX】本文档是关于基于ARM® Cortex®-M0+ 内核的进阶型的超低功耗
单片机 STM32L041xx的 数据手册， 介绍了它的主要外设资源和电特性参数。
特征：
- 超低功率平台
- 1.65 V至3.6 V电源
- -40到125.C温度范围
- 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）
- 0.35μA停止模式（16条唤醒线）
- 0.6μA停止模式+rtc+8KB内存保留
- 在运行模式下降至76μamhz
- 5μ的唤醒时间（从Flash内存）
- 41μA 12位模数转换器10 KSPS
- 核心：ARM@32位Cortex-MO+
- 从32千赫到最大32兆赫。
- 0.95 DMIPS/MHz
- 重置和供应管理
- 超安全低功耗BOR（通电复位）有5个可选择的阈值
- 超低功率POR/PDR
- 可编程电压检测器（PVD）
