1. C2选1uF太大了,这个MOS会开的很慢,应该选0.1uF。
2. R3R4选择47K如果输入是电池的话漏电流会比较大,建议选470K的。
3. R1选10K是对的,因为稳压二极管要导通的话需要一定的电流。
4. Q2 DS之间最好加上串联的两个电容,防止静电损坏MOS 。
希望可以帮到你。
1. C2选1uF太大了,这个MOS会开的很慢,应该选0.1uF。
2. R3R4选择47K如果输入是电池的话漏电流会比较大,建议选470K的。
3. R1选10K是对的,因为稳压二极管要导通的话需要一定的电流。
4. Q2 DS之间最好加上串联的两个电容,防止静电损坏MOS 。
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