MOSFET的失效机理　—总结—

MOSFET的失效机理

至此，我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超过MOSFET规格书中的绝对最大额定值，另外，了解这些MOSFET的失效机理之后再进行电路设计和工作条件设置是非常重要的。

下面是每篇文章的链接和关键要点汇总。

什么是SOA（Safety Operation Area）失效

本文的关键要点

・SOA是“Safety Operation Area”的缩写，意为“安全工作区”。

・需要在SOA范围内使用MOSFET等产品。

・有五个SOA的制约要素，不满足其中任何一个要素的要求都有可能会造成损坏。

什么是雪崩失效

本文的关键要点

・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。

・发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。

・雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。

什么是dV/dt失效

本文的关键要点

・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。

・dV/dt是单位时间内的电压变化量，VDS的上升坡度越陡，越容易发生dV/dt失效问题。

・一般来说，反向恢复特性越差，dV/dt的坡度越陡，越容易失效。