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钱先生

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碳化硅MOS管650V-3300V，电流1A-200A（国产碳化硅MOS晶圆裸芯、全碳SiC模块）

本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 编辑

碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。特别是在电力电子、高温电子、光伏逆变器和高频电子等领域，其性能优势能够提高器件的功率密度、效率和稳定性。
碳化硅MOS管-SiC Module功率模块产品简介.pdf (3.83 MB)
(下载次数: 6, 2024-2-21 14:23 上传)
ASC30N650MT4.pdf (1.23 MB)
(下载次数: 21, 2022-2-17 14:28 上传)
ASC30N1200MT3-PDF.pdf (823.86 KB)
(下载次数: 4, 2022-2-17 14:30 上传)
ASC60N1200MT3-PDF.pdf (777.88 KB)
(下载次数: 5, 2022-2-17 14:30 上传)
ASC100N1200MT4 -PDF.pdf (1 MB)
(下载次数: 6, 2022-2-17 14:31 上传)
  
ASC5N1700MT3.pdf (1.1 MB)
(下载次数: 2, 2022-2-17 14:31 上传)
  
ASC100N1700MT4-PDF.pdf (1 MB)
(下载次数: 10, 2022-2-17 14:32 上传)
ASC20N3300MT4-PDF.pdf (580.92 KB)
(下载次数: 11, 2022-2-17 14:32 上传)
ASR320N650D88.pdf (1.12 MB)
(下载次数: 6, 2022-2-17 14:33 上传)

回帖（33）

GDSLXH

2022-2-19 11:44:38
受到警告
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
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wdmz

2022-2-20 19:54:13
谢谢分享学习了
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钱先生

2022-3-2 09:10:00
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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钱先生

2022-3-9 10:40:32
支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz）
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钱先生

2022-3-19 12:05:17
SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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北山独狼

2022-3-23 14:31:53
谢谢分享，学习学习
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钱先生

2022-3-26 10:40:25
不客气，欢迎来聊 多多支持
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钱先生

2022-3-28 15:42:53
MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现
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钱先生

2022-4-6 17:39:29
TO247-4 封装可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现
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钱先生

2022-4-13 15:19:34
开关频率高、导通损耗低、效率更高
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钱先生

2022-4-14 15:30:03
SiC MOS能够在要求高功率密度的应用中优化性能。
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钱先生

2022-5-5 09:11:35
碳化硅MOS  国产品牌让您高枕无忧
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北山独狼

2022-5-5 09:39:50
谢谢分享学习了
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钱先生

2022-5-11 14:16:58
ASC5N1700MT3业界首款门极驱动电压+12v
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钱先生

2022-5-27 09:37:56
SiC MOS模块

模块特性

最高结温175℃

正温度系数

氮化铝绝缘基板

直接水冷散热

集成负温度系数传感器

2.5KV绝缘电压
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钱先生

2022-6-1 17:42:10
SIC MOS严格按照汽车行业IATF16949的要求
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钱先生

2022-6-24 17:39:23
欢迎交流沟通车载OBC,光伏逆变等电源
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钱先生

2022-7-6 11:17:03
国产碳化硅MOS管  支持顶起！
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钱先生

2022-7-27 17:46:46
SiC MOS通过了车规级AEC-Q101
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