注意flash的擦除烧写区域要更options target中一样。因为是第一段代码所以我们可以选择Erase Full C(擦除整个区域)。
现在我们烧写好了一段工程代码,那么我们接着烧写第二段工程代码,一样的我们需要在哎options中设置存储区域,设置的存储区域中还有一些问题需要注意,这里我们只先交代一下设置的区域最好不要重叠。这里我们设置如下图所示:
注意flash的擦除烧写区域要更options target中一样。因为是第一段代码所以我们可以选择Erase Full C(擦除整个区域)。
现在我们烧写好了一段工程代码,那么我们接着烧写第二段工程代码,一样的我们需要在哎options中设置存储区域,设置的存储区域中还有一些问题需要注意,这里我们只先交代一下设置的区域最好不要重叠。这里我们设置如下图所示: