制作的sd卡启动盘启动后一直卡在下面的位置是什么问题

严格按照手册的操作，制作的sd卡启动盘启动后一直卡在下面的位置，能帮忙看下是什么问题吗？

启动打印：
U-Boot 2011.09 (Jul 02 2019 - 14:27:11)

I2C:未激活的
DRAM 中的 DRAM 512 MiB
未启用的缓存
，发现配置 0 0
的硬件发现芯片 NAND EVM ：H ECC BCH通用
检测到指定的FI16 板
ONFI 有效参数 0 的
ECC B CH16指定的
检测 MT29F8G08
1024 MiB
MMC : OMAP SD/MMC: 0
*** 警告 - CRC 错误，使用默认环境

......

内核版本 3.2
nand page size 4k
write MLO
flash_eraseall 已被`flash_erase
替换；请使用它每秒
记录0分钟0`256 Kibyte -- 1 % % % % 完成记录中的
10+
1c11522，0.23127秒，0.23127秒，0.23127秒，4KB/s
写入U形的boot.img
flash_eraseall已替换为`flash_erase 0 0`;请使用它
擦除256 Kibyte @ 1c0000 - 100％完成
67 + 1记录中的
67 + 1记录输出
277300字节（270.8 KB）复制，0.709877秒，381.5KB / s的flash_eraseall
已替换为`flash_erase 0 0`;请使用它
擦除256 Kibyte @ 1c0000 - 100％完成
写入标志flash_eraseall
已被`flash_erase 0 0 `替换;请使用它
擦除256 Kibyte @ 1c0000 - 100％完成
94 + 1记录
94 + 1记录出
385078字节（376.1KB）复制，0.935760秒，401.9KB / s的
写入内核flash_eraseall
已替换为` flash_erase 0+0
+256 Kibyte@00
+ 100 % % 完成87记录中的87
记录
3566976字节（3.4MB）复制，4.096512秒，850.3KB / s的
写入的rootfs flash_eraseall
已替换为`flash_erase 0 0`;请使用它
擦除256 Kibyte @ 3e0c0000 - 98％排版[27.337575] YAFFS： dev is 32505863 name is "mtdblock7" rw
Erasing 25[ 27.344593] yaffs: pass flags ""
Erasing 256 Kibyte @ 3ebc0000 -- 100 % complete
tar: 无法打开“/tmp/card/rootfs.tar.bz2”：没有这样的文件或目录
更新nand完成....