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mega48_88_168熔丝位是什么?

mega48_88_168熔丝位是什么?

回帖(1)

古孟谦

2021-11-9 10:29:41
熔丝位简要说明


熔丝位
功能
配置说明
熔丝低位CKDIV8
时钟8分频
0:时钟8分频
1:时钟不分频



CKOUT
时钟输出
0:系统时钟输出(PB0)

1:不输出



SUT1
选择启动时间
根据时钟源选择的不同会有不同的设置,详见下文。

SUT0



CKSEL3
选择时钟源
1111-1000:低功率晶振

0111-0110:满振幅晶振



CKSEL2
0101-0100:低频晶振


CKSEL1
0011:内部128K RC振荡器


CKSEL0
0010:校准的内部RC振荡器


0000:外部时钟



熔丝高位RSTDISBL
外部复用禁止
0:PC6为普通引脚
1:PC6为复位引脚



DWEN
调试线使能
0:使能片上调试系统

1:部使能片上调试系统



SPIEN
使能串行程序和数据下载
0:SPI编程使能

1:SPI编程未使能



WDTON
看门狗时间一直启用
0:看门狗时间一直启用

1:看门狗时间通过软件设置



EESAVE
执行芯片擦除时EEPROM内容保留
0:芯片擦除时EEPROM不受影响

1:芯片擦除时EEPROM清除



BODLEVEL2
BOD触发电平
111:BOD禁用

110:Min=1.7,Typ=1.8,Max=2.0  (V)



BODLEVEL1
101:Min=2.5,Typ=2.7,Max=2.9  (V)


BODLEVEL0
100:Min=4.1,Typ=4.3,Max=4.5  (V)


mega88/168熔丝扩展位BOOTSZ1
选择boot区大小
00::1024字
01:512字



BOOTSZ0
10:256字


00:128字



BOOTRST
选择复位向量
0:Boot区复位地址

1:0x000



加密位BLB12
Boot锁定位
11:SPM和LPM访问没有限制
BLB11
10:禁止SPM指令


BLB02
01:禁止LPM指令


BLB01
11:SPM和LPM全禁止


LB2
锁定位
11:内存锁定不使能

LB1
10、00:Flash和EEPROM编程禁止




一、熔丝低位

低熔丝位
位号
描述
默认值
CKDIV8
7
时钟8分频
0
CKOUT
6
时钟输出
1
SUT1
5
选择启动时间
1
SUT0
4
0

CKSEL3
3
选择时钟源
0
CKSEL2
2
0

CKSEL1
1
1

CKSEL0
0
0






1、第七位CKDIV8:决定CLKPS的初始值,CKDIV8为1,CLKPS将设置为0000(分频因子1);CKDIV8为0,CLKPS将设置为0011(分频因子8)。所选的时钟源超出所允许的最大频率,一定要编程这个熔丝位。CKDIV8设置了也可以更改CLKPS,若所选时钟源超出所允许的最大频率,通过程序配置必须选择合适的分频因子。









2、第六位CKOUT:CKOUT为0,系统时钟可以从CLKO引脚输出。这个模式用于芯片时钟驱动其他系统。芯片复位状态下时钟也会输出,CKOUT为0,I/O口(PB0)的正常操作被切换为时钟输出。当CLKO作为时钟输出时,系统时钟可以为包括RC振荡器在内的所有时钟源。如果系统时钟预分频,输出的是被分频后的系统时钟频率。



















3、低六位一块写,SUT1..0:选择启动时间,CKSEL3..0:选择时钟源
时钟源选择

器件时钟选择
CKSEL3..0
低功率晶振
1111 - 1000
满振幅晶振
0111 - 0110
低频晶振
0101 - 0100
内部128K RC振荡器
0011
校准的内部RC振荡器
0010
外部时钟
0000
保留
0001







  • 低功率晶振工作模式                     (后边好多表格,直接抄过来,没有带截图)

频率范围(MHz)
电容C1、C2推荐范围(pF)
CKSEL3..1
0.4 - 0.9
--
100
0.9 - 3.0
12 - 22
101
3.0 - 8.0
12 - 22
110
8.0 - 16.0
12 - 22
111
低频率晶振时钟选项对应的启动时间

振荡源/电源状态
掉电和节电模式下的启动时间
复位时的额外延时(VCC=5.0V)
CKSEL0
SUT1..0
陶瓷谐振器,电源快速上升
258CK
14CK + 4.1ms
0
00
陶瓷谐振器,电源缓慢上升
258CK
14CK + 65ms
0
01
陶瓷谐振器,BOD使能
1KCK
14CK
0
10
陶瓷谐振器,电源快速上升
1KCK
14CK + 4.1ms
0
11
陶瓷谐振器,电源缓慢上升
1KCK
14CK + 65ms
1
00
石英振荡器,BOD使能
16KCK
14CK
1
01
石英振荡器,电源快速上升
16KCK
14CK + 4.1ms
1
10
石英振荡器,电源缓慢上升
16KCK
14Ck + 65ms
1
11


  • 满振幅晶振工作模式

频率范围(MHz)
电容C1、C2推荐范围(pF)
CKSEL3..1
0.4 - 20
12 - 22
011
满振幅晶振时钟选项对应的启动时间

振荡源/电源状态
掉电和节电模式下的启动时间
复位时的额外延时(VCC=5.0V)
CKSEL0
SUT1..0
陶瓷谐振器,电源快速上升
258CK
14CK + 4.1ms
0
00
陶瓷谐振器,电源缓慢上升
258CK
14CK + 65ms
0
01
陶瓷谐振器,BOD使能
1KCK
14CK
0
10
陶瓷谐振器,电源快速上升
1KCK
14CK + 4.1ms
0
11
陶瓷谐振器,电源缓慢上升
1KCK
14CK + 65ms
1
00
石英振荡器,BOD使能
16KCK
14CK
1
01
石英振荡器,电源快速上升
16KCK
14CK + 4.1ms
1
10
石英振荡器,电源缓慢上升
16KCK
14Ck + 65ms
1
11


  • 低频晶振:可以使用外部32.768kHz表用振荡器作为低频时钟源。

低频晶振时钟选项对应的启动时间

电源状态
掉电和节电模式下的启动时间
复位时的额外延时(VCC=5.0V)
CKSEL0
SUT1..0
BOD使能
1KCK
14CK
0
00
电源快速上升
1KCK
14CK + 4.1ms
0
01
电源缓慢上升
1KCK
14CK + 65ms
0
10
保留
0
11


BOD使能
32KCK
14CK
1
00
电源快速上升
32KCK
14CK + 4.1ms
1
01
电源缓慢上升
32KCK
14CK + 65ms
1
10
保留
1
11




  • 校准的内部RC振荡器工作模式

频率范围(MHz)
CKSEL3..0
7.3 - 8.1
0010
校准的内部RC振荡器对应的启动时间

电源状态
掉电和节电模式下的启动时间
复位时的额外延时(VCC=5.0V)
SUT1..0
BOD使能
6CK
14CK
00
电源快速上升
6CK
14CK + 4.1ms
01
电源缓慢上升
6CK
14CK + 65ms
10
保留
11


5)128kHz内部振荡器工作模式

频率范围
CKSEL3..0
128kHz
0011
128kHz内部振荡器对应的启动时间

电源状态
掉电和节电模式下的启动时间
复位时的额外延时(VCC=5.0V)
SUT1..0
BOD使能
6CK
14CK
00
电源快速上升
6CK
14CK + 4.1ms
01
电源缓慢上升
6CK
14CK + 65ms
10
保留
11


6)石英振荡器时钟频率

频率范围
CKSEL3..0
0 - 20MHz
0000
外部时钟对应的启动时间

电源状态
掉电和节电模式下的启动时间
复位时的额外延时(VCC=5.0V)
SUT1..0
BOD使能
6CK
14CK
00
电源快速上升
6CK
14CK + 4.1ms
01
电源缓慢上升
6CK
14CK + 65ms
10
保留
11


二、熔丝高位

高熔丝位
位号
描述
默认值
RSTDISBL
7
外部复位禁用
1
DWEN
6
调试线使能
1
SPIEN
5
使能串行程序和数据下载
0(SPI编程使能)
WDTON
4
看门狗时间一直启用
1)
EESAVE
3
执行芯片擦除时EEPROM内容保留
1,EEPROM内容不保留
BODLEVEL2
2
BOD触发电平
1
BODLEVEL1
1
1

BODLEVEL0
0
1



  • 第七位RSTDISBL:设置PC6引脚的功能,RSTDISBL为0时,该引脚作为普通的I/O引脚,芯片内部的上电复位和欠压复位作为系统的复位源。RSTDISBL为1时,复位电路将连接到该引脚,该引脚不能作为I/O使用。








  • 第六位DWEN:如果通过熔丝位DWEN使能了片上调试系统,芯片进入休眠状态时,主时钟保持运行,因此总是消耗功率。在深度休眠模式,这个功耗将会在整个功耗中占很大比重。










当debugWIRE使能DWEN熔丝位为0并且锁定位为1,目标设备中的debugWIRE系统被激活。RESET端口引脚配置为上拉使能的线与(开漏)双向I/O,成为目标与仿真器间的联系通路。





一个程序DWEN使能使一些时钟系统在所有休眠模式下都运行。这将增加器件在休眠时的功耗。所以在不使用debugWIRE时,DWEN熔丝位应该禁用(为1)。





3、第五位SPIEN:设置为0时,SPI使能。
在串行编程模式下SPIEN熔丝位不可访问。





4、第四位WDTON:如果WDTON为0,看门狗一直开启,将迫使看门狗定时器进入系统复位模式。该熔丝位为0使系统复位模式位(WDE)和中断模式位(WDIE)分别锁定为1和0。为了进一步确保程序安全性,对看门狗设置的更改必须遵循定时顺序。清除WDE和更改超时配置的顺序如下:


  • 在同一个指令内对WDCE和WDE写"1“。虽然WDE总是为置位状态,也必须写"1“以启动时序。
  • 在接下来的4个时钟周期中必须在同一指令内对WDCE位写”0”和为WDE和WDP写合适的数据。










看门狗定时器配置

WDTON
WDE
WDIE
状态
超时动作
1
0
0
停止

1
0
1
中断模式
中断
1
1
0
系统复位模式
复位
1
1
1
中断和系统复位模式
中断,然后进入系统复位模式
0
x
x
系统复位模式
复位


  • 第三位EESAVE:如果EESAVE 熔丝位为0,那么在芯片擦除时EEPRPOM 不受影响。






当向EEPROM写数据0xFF时可以跳过(高效编程),EESAVE熔丝位为0状态下不能跳过。







  • 低三位BODLEVEL2..0:BOD触发电平






VBOT 可能低于某些器件的最小标称工作电压。对于有这种情形的器件,在产品测试时将做VCC = VBOT 的实验。这保证了在芯片工作电压VCC 降至微处理器已经无法正常工作之前,发生掉电复位。ATmega48V/88V/168V用BODLEVEL = 110与BODLEVEL = 101做检测, ATmega48/88/168用BODLEVEL = 101与BODLEVEL = 100做检测。
三、mega88/168的熔丝位扩展位

熔丝位扩展位
位号
描述
默认值
--
7
--
1
--
6
--
1
--
5
--
1
--
4
--
1
--
3
--
1
BOOTSZ1
2
选择boot区大小
0
BOOTSZ0
1
选择boot区大小
0
BOOTRST
0
选择复位向量
1


  • 第二位、第一位:BOOTSZ1  BOOTSZ0 选择boot区大小

BOOTSZ1
BOOTSZ0
Boot区大小
页数
应用Flash区
Boot Loader Flash区
应用区结束地址
Boot复位地址(Boot Loader起始地址)
1
1
128字
4
0x000 - 0xF7F
0xF80 - 0xFFF
0xF7F
0xF80
1
0
256字
8
0x000 - 0xEFF
0xF00 - 0xFFF
0xEFF
0xF00
0
1
512字
16
0x000 - 0xDFF
0xE00 - 0xFFF
0xDFF
0xE00
0
0
1024字
32
0x000 - 0xBFF
0xC00 - 0xFFF
0xBFF
0xC00


  • 第零位BOOTRST:决定复位向量

在ATmega88 与ATmega168 中,复位向量由BOOTRST 熔丝位决定,中断向量的起始地址由MCUCR 寄存器的IVSEL决定。





ATmega88复位和中断向量位置的确定

BOOTRST
IVSEL
复位地址
中断起始地址
1
0
0x000
0x001
1
1
0x000
Boot区复位地址 + 0x001
0
0
Boot区复位地址
0x001
0
1
Boot区复位地址
Boot区复位地址 + 0x001
四、加密位

加密位
位号
描述
默认值
--
7
--
1
--
6
--
1
BLB12
5
Boot锁定位
1
BLB11
4
Boot锁定位
1
BLB02
3
Boot锁定位
1
BLB01
2
Boot锁定位
1
LB2
1
锁定位
1
LB1
0
锁定位
1
锁定位保护模式

内存锁定位
保护类型


LB模式
LB2
LB1

1
1
1
没有内存锁定特征使能
2
1
0
在并行和串行编程模式中Flash和EEPROM的进一步编程被禁止,熔丝位被锁定。
3
0
0
在并行和串行编程模式中Flash和EEPROM的进一步编程及验证被禁止,锁定位和熔丝位被锁定。
ATmega88/168的锁定位保护模式

BLB0模式
BLB02
BLB01

1
1
1
SPM和LPM对应用区的访问没有限制
2
1
0
不允许SPM对应用区进行写操作
3
0
0
不允许SPM对应用区进行写操作,也不允许运行于boot loader区的LPM从应用区读取数据。若中断向量位于boot loader区,那么执行应用区代码时中断是禁止的。
4
0
1
不允许运行于boot loader区的LPM指令从应用区读取数据。若中断向量位于boot loader区,那么执行应用区代码时中断是禁止的。
BLB1模式
BLB12
BLB11

1
1
1
SPM和LPM对boot loader区的访问没有限制
2
1
0
不允许SPM对boot loader区进行写操作
3
0
0
不允许SPM对boot loader区进行写操作,也不允许运行于应用区的LPM指令从boot loader区读取数据。若中断向量位于应用区,那么执行boot loader区代码时中断是禁止的。
4
0
1
不允许运行于应用区的LPM 指令从boot loader区读取数据。若中断向量位于应用区,那么执行boot loader区代码时中断是禁止的。
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