1、概述
EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块是 PCI Express Mini Card 1.2 标准接口 LTE 模块。本文章主要讲解了如何驱动EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块的硬件电路设计，主要包含有：
电源设计
通讯接口
SIM卡的防护
1.1、EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块引脚分配
1.2、EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块引脚描述
2、电源接口设计
EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块使用 VBAT 供电。 在 EGSM900 模式下，瞬间峰值电流最大可能达到2.0A。 为防止电压跌落到 3.3V 以下，使用开关电源或 LDO 时需要能够提供至少 2.0A 电流， 建议在模块供电端口处加一个容值大于470µF 的钽电容或电解电容。若使用开关电源给模块供电，开关电源的功率器件、电源走线应尽量避开天线部分，以防止 EMI 干扰。
2.1、一级总电源设计
本设计整体采用宽电压输入6-36V，一级电源采用LM2596稳压至5V，最大可以提供3A的电流。足够整个系统，包括网络模块的正常供电需求。
2.2、二级网络模块电源设计
下图给出了使用 LDO 给网络模块供电的电源电路参考设计。 其中 R7 和 R9 两颗电阻精度为 1%，电容 C17需要选用低 ESR 的 470µF 滤波电容。
2.3、二级1.8V电平电压转换电源设计
由于EC20串口的电压域是1.8V，不能直接与MCU的3.3V的串口通讯，短期可能没什么影响，但是长期会降低EC20的使用寿命。采用AMS1117进行5V到1.8V的电平转换
对于EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块的电源来说，包含上述三种电源。
3、串口通讯接口电路设计
EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块支持 1 路带 RTS/CTS 硬件流控功能串口。该串口可支持 9600bps、19200bps、 38400bps、 57600bps、 115200bps 和 230400bps 波特率，默认波特率为 115200bps。EC20串口的电压域是1.8V，不能直接与MCU的3.3V的串口通讯，因此需要在1.8V和3.3V之间进行电平转换。
4、SIM卡电路设计
在SIM电路设计中，一定要注意进行静电防护，不然在实际项目应用中，会出现检测不到SIM卡的现象。
为了提高USIM卡电路的可靠性和稳定性，在电路设计中须注意以下几点：
USIM 卡座靠近模块摆放，尽量保证（U）SIM 卡信号线布线长度不超过 200mm。
SIM 卡信号线布线远离 RF线和电源线。
为防止 USIM_CLK 和 USIM_DATA 信号相互串扰，两者布线不能太靠近， 并且在两条走线之间需增加地屏蔽。
为确保良好的 ESD 性能，建议（U）SIM 卡的引脚增加 TVS 管；建议选择的 TVS 管寄生电容不大于15pF。
USIM_CLK、 USIM_DATA、 USIM_RST 走线上串联 22Ω 的电阻，可以抑制EMI，增强ESD防护； 同时，并联33pF 电容可有效滤除 EGSM900 射频干扰，这些阻容器件应尽量靠近（U）SIM 卡座放置。
USIM_DATA上的上拉电阻有利于增加（U）SIM 卡的抗干扰能力； 当（U）SIM卡走线过长，或者有比较近的干扰源的情况下，建议靠近卡座位置增加上拉电阻。
1、概述
EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块是 PCI Express Mini Card 1.2 标准接口 LTE 模块。本文章主要讲解了如何驱动EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块的硬件电路设计，主要包含有：
电源设计
通讯接口
SIM卡的防护
1.1、EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块引脚分配
1.2、EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块引脚描述
2、电源接口设计
EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块使用 VBAT 供电。 在 EGSM900 模式下，瞬间峰值电流最大可能达到2.0A。 为防止电压跌落到 3.3V 以下，使用开关电源或 LDO 时需要能够提供至少 2.0A 电流， 建议在模块供电端口处加一个容值大于470µF 的钽电容或电解电容。若使用开关电源给模块供电，开关电源的功率器件、电源走线应尽量避开天线部分，以防止 EMI 干扰。
2.1、一级总电源设计
本设计整体采用宽电压输入6-36V，一级电源采用LM2596稳压至5V，最大可以提供3A的电流。足够整个系统，包括网络模块的正常供电需求。
2.2、二级网络模块电源设计
下图给出了使用 LDO 给网络模块供电的电源电路参考设计。 其中 R7 和 R9 两颗电阻精度为 1%，电容 C17需要选用低 ESR 的 470µF 滤波电容。
2.3、二级1.8V电平电压转换电源设计
由于EC20串口的电压域是1.8V，不能直接与MCU的3.3V的串口通讯，短期可能没什么影响，但是长期会降低EC20的使用寿命。采用AMS1117进行5V到1.8V的电平转换
对于EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块的电源来说，包含上述三种电源。
3、串口通讯接口电路设计
EC20 R2.1 Mini PCIe-C 模块支持 1 路带 RTS/CTS 硬件流控功能串口。该串口可支持 9600bps、19200bps、 38400bps、 57600bps、 115200bps 和 230400bps 波特率，默认波特率为 115200bps。EC20串口的电压域是1.8V，不能直接与MCU的3.3V的串口通讯，因此需要在1.8V和3.3V之间进行电平转换。
4、SIM卡电路设计
在SIM电路设计中，一定要注意进行静电防护，不然在实际项目应用中，会出现检测不到SIM卡的现象。
为了提高USIM卡电路的可靠性和稳定性，在电路设计中须注意以下几点：
USIM 卡座靠近模块摆放，尽量保证（U）SIM 卡信号线布线长度不超过 200mm。
SIM 卡信号线布线远离 RF线和电源线。
为防止 USIM_CLK 和 USIM_DATA 信号相互串扰，两者布线不能太靠近， 并且在两条走线之间需增加地屏蔽。
为确保良好的 ESD 性能，建议（U）SIM 卡的引脚增加 TVS 管；建议选择的 TVS 管寄生电容不大于15pF。
USIM_CLK、 USIM_DATA、 USIM_RST 走线上串联 22Ω 的电阻，可以抑制EMI，增强ESD防护； 同时，并联33pF 电容可有效滤除 EGSM900 射频干扰，这些阻容器件应尽量靠近（U）SIM 卡座放置。
USIM_DATA上的上拉电阻有利于增加（U）SIM 卡的抗干扰能力； 当（U）SIM卡走线过长，或者有比较近的干扰源的情况下，建议靠近卡座位置增加上拉电阻。
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