串联寄生电阻有何危害

1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄生参数（电容）是限制其开关速度（转换时间）的重要因素。3. 有些损耗从本质上与频率无关（如导通损耗）。实际上，其他损耗几乎都随频率的升高而成比例的增加，如交叉损耗。因此，一般来说，降低（而不是提高）开关频率几乎总是有...