IGBT的过电流保护类型可以分为过载保护与短路保护。
1.过载保护 过载保护主要是IGBT的负载电流增大引起的IGBT损耗增大,如果损耗增大,突破IGBT的一些极限数值,则IGBT会损坏。一般选择、应用IGBT时均需要一定的余量。因此,IGBT过载时可以保护。过载保护可以通过检测直流环路总电流,达到对IGBT驱动电路的控制,进而可以实现在过载时,关断IGBT。
2.短路保护 IGBT承受的短路电路时间很短。IGBT短路会引起IGBT损耗增大,结温升高,如果结温突破其最大结温,则IGBT会损坏。
不同的IGBT承受的短路电路时间不同,实际中可以根据IGBT的饱和导通压降来估计;
1)饱和导通压降小于2V,IGBT承受的短路电路时间大于5μs。
2)饱和导通压降为3V,IGBT承受的短路电路时间可达15μs。
3)饱和导通压降为4~5V,IGBT承受的短路电路时间可达30μs。
另外,有的IGBT数据手册也提供了承受的短路电路时间参数,应用时可以查阅参考。
IGBT的过电流保护类型可以分为过载保护与短路保护。
1.过载保护 过载保护主要是IGBT的负载电流增大引起的IGBT损耗增大,如果损耗增大,突破IGBT的一些极限数值,则IGBT会损坏。一般选择、应用IGBT时均需要一定的余量。因此,IGBT过载时可以保护。过载保护可以通过检测直流环路总电流,达到对IGBT驱动电路的控制,进而可以实现在过载时,关断IGBT。
2.短路保护 IGBT承受的短路电路时间很短。IGBT短路会引起IGBT损耗增大,结温升高,如果结温突破其最大结温,则IGBT会损坏。
不同的IGBT承受的短路电路时间不同,实际中可以根据IGBT的饱和导通压降来估计;
1)饱和导通压降小于2V,IGBT承受的短路电路时间大于5μs。
2)饱和导通压降为3V,IGBT承受的短路电路时间可达15μs。
3)饱和导通压降为4~5V,IGBT承受的短路电路时间可达30μs。
另外,有的IGBT数据手册也提供了承受的短路电路时间参数,应用时可以查阅参考。
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