GD32F103是GD早期的产品，GD32E103和GD32F303是对GD32F103的升级和优化，所以4者是兼容的，虽然内核不同，但是通用外设几乎很少涉及到内核部分，在时间急迫的情况下可以使用ST的库开发。
一、相同点
1）外围引脚PIN TO PIN兼容，每个引脚上的复用功能也完全相同。
2）芯片内部寄存器、外部IP寄存器地址和逻辑地址完全相同，但是有些寄存器默认值不同，有些外设模块的设计时序上和STM32有差异，这点差异主要体现在软件上修改，详情见下文。
3）编译工具：完全相同例如：KEIL 、IAR
4）型号命名方式完全相同，所以替代只需找尾缀相同的型号即可，例如：STM32F103C8T6 与 GD32E103C8T6。
5）仿真工具：JLINK GDLINK
二、外围硬件区别
三、硬件替换需要注意的地方
从上面的介绍中，我们可以看出，GD32F30/E103系列和STM32F103系列是兼容的，但也需要一些注意的地方。
1）BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空，这点很重要。
2）RC复位电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，ST的有时候可以不要。
3）有时候发现用仿真器连接不上。因为GD的swd接口驱动能力比ST弱，可以有如下几种方式解决：
a、线尽可能短一些；
b、降低SWD通讯速率；
c、SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。
4）使用电池供电等，注意GD的工作电压，例如跌落到2.0V~2.6V区间，ST还能工作，GD可能无法启动或工作异常。
四、使用ST标准库开发需要修改的地方
1）GD对时序要求严格，配置外设需要先打开时钟，在进行外设配置，否则可能导致外设无法配置成功；ST的可以先配置在开时钟。
2）修改外部晶振起振超时时间，不用外部晶振可跳过这步。
原因：GD与ST的启动时间存在差异，为了让GD MCU更准确复位。
修改：
将宏定义：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT （（uint16_t）0x0500）修改为：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT （（uint16_t）0xFFFF） 3）GD32F10X flash取值零等待，而ST需要2个等待周期，因此，一些精确延时或者模拟IIC或SPI的代码可能需要修改。
原因：GD32采用专利技术提高了相同工作频率下的代码执行速度。
修改：如果使用for或while循环做精确定时的，定时会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短，因此需要仿真重新计算设计延时。使用Timer定时器无影响。
4）在代码中设置读保护，如果使用外部工具读保护比如JFLASH或脱机烧录器设置，可跳过此步骤。
在写完KEY序列后，需要读该位确认key已生效，修改如下：
总共需要修改如下四个函数：
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes（void）;FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData（uint32_t Address， uint8_t Data）;uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte（void）;FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus（void）;
5）GD与ST在flash的Erase和Program时间上有差异，修改如下：
6）需求flash大于256K注意，小于256K可以忽略这项。
与ST不同，GD的flash存在分区的概念，前256K，CPU执行指令零等待，称code区，此范围外称为dataZ区。两者在擦写操作上没有区别，但在读操作时间上存在较大差别，code区代码取值零等待，data区执行代码有较大延迟，代码执行效率比code区慢一个数量级，因此data区通常不建议运行对实时性要求高的代码，为解决这个问题，可以使用分散加载的方法，比如把初始化代码，图片代码等放到data区。
总结：至此，经过以上修改，在不使用USB和网络能复杂协议的代码，就可以使用ST的代码操作了。
GD32F103是GD早期的产品，GD32E103和GD32F303是对GD32F103的升级和优化，所以4者是兼容的，虽然内核不同，但是通用外设几乎很少涉及到内核部分，在时间急迫的情况下可以使用ST的库开发。
一、相同点
1）外围引脚PIN TO PIN兼容，每个引脚上的复用功能也完全相同。
2）芯片内部寄存器、外部IP寄存器地址和逻辑地址完全相同，但是有些寄存器默认值不同，有些外设模块的设计时序上和STM32有差异，这点差异主要体现在软件上修改，详情见下文。
3）编译工具：完全相同例如：KEIL 、IAR
4）型号命名方式完全相同，所以替代只需找尾缀相同的型号即可，例如：STM32F103C8T6 与 GD32E103C8T6。
5）仿真工具：JLINK GDLINK
二、外围硬件区别
三、硬件替换需要注意的地方
从上面的介绍中，我们可以看出，GD32F30/E103系列和STM32F103系列是兼容的，但也需要一些注意的地方。
1）BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空，这点很重要。
2）RC复位电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，ST的有时候可以不要。
3）有时候发现用仿真器连接不上。因为GD的swd接口驱动能力比ST弱，可以有如下几种方式解决：
a、线尽可能短一些；
b、降低SWD通讯速率；
c、SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。
4）使用电池供电等，注意GD的工作电压，例如跌落到2.0V~2.6V区间，ST还能工作，GD可能无法启动或工作异常。
四、使用ST标准库开发需要修改的地方
1）GD对时序要求严格，配置外设需要先打开时钟，在进行外设配置，否则可能导致外设无法配置成功；ST的可以先配置在开时钟。
2）修改外部晶振起振超时时间，不用外部晶振可跳过这步。
原因：GD与ST的启动时间存在差异，为了让GD MCU更准确复位。
修改：
将宏定义：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT （（uint16_t）0x0500）修改为：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT （（uint16_t）0xFFFF） 3）GD32F10X flash取值零等待，而ST需要2个等待周期，因此，一些精确延时或者模拟IIC或SPI的代码可能需要修改。
原因：GD32采用专利技术提高了相同工作频率下的代码执行速度。
修改：如果使用for或while循环做精确定时的，定时会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短，因此需要仿真重新计算设计延时。使用Timer定时器无影响。
4）在代码中设置读保护，如果使用外部工具读保护比如JFLASH或脱机烧录器设置，可跳过此步骤。
在写完KEY序列后，需要读该位确认key已生效，修改如下：
总共需要修改如下四个函数：
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes（void）;FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData（uint32_t Address， uint8_t Data）;uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte（void）;FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus（void）;
5）GD与ST在flash的Erase和Program时间上有差异，修改如下：
6）需求flash大于256K注意，小于256K可以忽略这项。
与ST不同，GD的flash存在分区的概念，前256K，CPU执行指令零等待，称code区，此范围外称为dataZ区。两者在擦写操作上没有区别，但在读操作时间上存在较大差别，code区代码取值零等待，data区执行代码有较大延迟，代码执行效率比code区慢一个数量级，因此data区通常不建议运行对实时性要求高的代码，为解决这个问题，可以使用分散加载的方法，比如把初始化代码，图片代码等放到data区。
总结：至此，经过以上修改，在不使用USB和网络能复杂协议的代码，就可以使用ST的代码操作了。
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