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AD转换过程是通过哪几个步骤完成的

模拟分频器是什么?
AD转换过程是通过哪几个步骤完成的?
压敏电阻的作用有哪些?

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潘小旋

2021-10-18 16:32:58
  1.模拟分频器是音箱内的一种电路装置,用以将输入的模拟音频信号,分离成高音,低音,中音等不同的成分,然后分别送入到相应的高低中音喇叭单元中重放。之所以这样做,是因为任何单一喇叭都不可能完美的将声音得各个频段完整的重放出来。
  2.电容用来信号耦合,旁路(消除交流负反馈吗,提高电路增益),防振,频率补偿等
  3.在电源电压低的电路中,由于交替地使用NPN,PNP,能够有效的利用电源
  4.将每一个放大器的增益调到最大,将输出信号反馈到输入信号,即负反馈。电路的总的增益与每个放大器的增益无关,仅由调节反馈量的反馈元件决定。
  5.负反馈电路:将输出电压或者输出电流返回到输入端部分,在外观上减少自己本身的输入电压或者输入电流来控制电路整体增益的电路
  6.降低反馈电路的阻抗:是为了使电路低噪声化有三种方法:
  * 使用低噪声的放大器件
  * 减少有电阻产生的热噪声,电路要进行低阻抗化
  * 为了减少噪声的总功率,将频带边窄
  7.AD转换过程是通过采样、保持、量化编码三个步骤完成的
  8.采样定理:采样信号Vs表示模拟信号Vi必须满足Fs》2Fimax式中,Fs为采样频率,Fimax为输入信号最高频率分量的频率
  9.并行AD转换器的特点:
  * 转换速度快
  * 8位并行的AD转换器需要255个比较器
  10磁珠:磁珠专用于抑制信号线,电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠有很高的电阻率和磁导率,等效电阻电感串联,但电阻值和电感值都是随着信号的频率变化。
  11.在单相整流电路中,选择二极管的参数是关注:反向击穿电压和最大平均电流单相为0.45U2,桥式为0.9U2,如果加入电容,就是1.2U2
  12.直接耦合放大电路的零点飘移现象:输入为0 ,输出不为0的现象成为零点飘移现象。零点飘移现象主要是因为三极管的温度飘移,而在阻容耦合的放大电路中,温度飘移不会被下级放大,所以不是问题
  13.压敏电阻的作用:
  * 限压,过压箝位
  * 过压保护,防雷,抑制浪涌电流,吸收尖峰电流
  * 响应时间为ns级,比空气放电管快,比TVS稍微慢些
  14.电力系统中性点接地:
  * 工作接地
  * 保护接地
  * 保护接零
  * 防雷接地
  * 防静点接地
  *
  15.PID各环节的作用:
  P比例环节:成比例反映控制系统的偏信号,偏差信号一旦产生,控制器立即产生控制作用,以减少偏差,快速性。
  I积分环节:主要用于消除静差,提高系统的控制精度和无差度
  D微分环节:反映偏差信号的变化趋势,并能在偏差信号变得过大之前,在系统中引入一个早期修正信号,从而加快系统的动作速度,减少调节时间。
  16.在高速数字系统中,传输线上的阻抗不匹配会引起信号反射,造成过冲,下冲,和振铃等信号畸变。减小反射的方法是根据传输线的特性阻抗在其发送端串联端使源阻抗与传输线阻抗匹配或者在接收端并联端接负载阻抗与传输线的阻抗匹配。从而使源反射系数或者负载反射系数为零。常用的短接方式为:
  * 串联端接
  * 简单的并联端接
  * 戴维南端接
  * RC网络端接
  17.看门口的作用:看门狗是一个定时器电路,一般有一个输入,叫喂狗。一个输出到MCU的RST端,MCU正常工作的时候,每隔一端时间输出一个信号到喂狗端,给 WDT 清零,如果超过规定的时间不喂狗,(一般在程序跑飞时),WDT 定时超过,就回给出一个复位信号到MCU,是MCU复位。 防止MCU死机。 看门狗的作用就是防止程序发生死循环,或者说程序跑飞。STM32有2个看门狗:独立看门狗和窗口看门狗。 独立看门狗IWDG–独立于系统之外,因为有独立时钟,所以不受系统影响的系统故障探测器,主要用于监视硬件错误。 窗口看门狗WWDG----系统内部的故障探测器,时钟与系统相同。如果系统时钟不走了,这个狗也就失去了作用了,主要用于监视软件错误。 简单的讲,看门狗就是检测系统故障的,如果因为系统故障而没有及时喂狗,则引发复位重启。 18.通信电平的知识:并行总线:STD PC总线 IEEE488总线串行总线:RS232 RS485 I2C SPI UART USB RS232是全双工,RS485是半双工的。
  RS232是1对1,RS485是1对多,RS485经常采用的是主从方式,一个主的,若干从的,组成一个网络。
  RS232是电平传输方式,且在RS232中的电平是这样的,逻辑1:-3V~-15V 逻辑0: +3V~+15V
  RS484是差分方式传输,仅仅两根线。
  RS485发送端的电平是
  逻辑1:两线间的电压差为+(2~6)V
  逻辑0:-(2~6)V
  接收端的电平是:(AB之间的电压差)
  逻辑1:+200mv以上
  逻辑0:-200mv以上
  TTL电平:输出高电平》2.4V 低电平《0.4V 如果加入噪声容错,输入高电平》+2V, 低电平《0.8V
  CMOS电平:输出高电平U=Vcc 低电平U=GND 输入高电平:U》0.7Vcc 低电平《U=0.2Vcc
  USB:电源线是+5V,为USB设备提供最大的电流是500mA,与数据线上的电平没有关系,数据是差分信号
  d+和d-在+400mV~-400mV之间变化
  19.晶体管的穿透电流ICEO 穿透电流是指晶体管基极开路时,集电极到发射极间的反向截止电流。符号为Iceo ,称作三极管的穿透电流。 晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高。通过测试Iceo的大小,就可以判断出三极管质量好坏。Iceo大的管子电流损耗大,温度易升高,工作不稳定。Iceo越小越好。在常温下,小功率硅管在几微安以下。 由于少数载流子受外界温度影响,温度升高穿透电流迅速增大,晶体管的稳定性越差,噪声系数及功耗也越大。当制作高稳定电路时,必须选用穿透电流小的晶体管。穿透电流是不可控制的电流,它增加了功率损耗,在温度变化时它也变化,这个变化的电流送到负载就产生了随温度变化的噪声。表征:该管温度稳定性好坏的参数
  20.逻辑代数的三个原则:代入规则,反演规则 对偶规则
  21.目前中国国内使用的3G制式有3种,分别是WCDMA、CDMA2000、TD-SCDMA。
  中国联通3G,W-CDMA(欧洲版)运营商:中国联通
  中国电信3G,CDMA2000(美国版) 运营商:中国电信
  中国移动3G,TD-SCDMA (中国版) 运营商:中国移动
  22.戴维南定理(Thevenin‘s theorem):含独立电源的线性电阻单口网络N,就端口特性而言,可以等效为一个电压源和电阻串联的单口网络。电压源的电压等于单口网络在负载开路时的电压uoc;电阻R0是单口网络内全部独立电源为零值时所得单口网络N0的等效电阻。
  23 压摆率简称SR(slew rate)也称转换速率,是指输入信号为阶跃信号时,闭环放大器的输出电压时间变化率的平均值。(其实就是输出电压的转换速率)单位V/s,V/ms,V/μs,反应了运放放大器在速度方面的指标。一般来说,压摆率越高的运放,其工作电流也越大,亦即耗电也大的意思。但压摆率是高速运放的重要指标。
  24.增益带宽积(小信号的增益带宽)衡量运放性能的一个重要指标,表示带宽与增益的乘积,在频率足够大的时候,增益带宽积是一个常数
  电解电容为什么有极性?电解电容有极性,而聚酯薄膜电容、陶瓷电容、独石电容都是没有极性的。为什么电解电容有极性?电解电容的是用金属箔(铝/钽)作为正电极,金属箔的绝缘氧化层(氧化铝/钽五氧化物)作为电解质,电解电容以其正电级的不同,分为铝电解电容和钽电解电容。铝电解电容的负电极由浸过电解质液(液态电解质)的薄纸/薄膜或电解质聚合物构成;钽电解电容的负电极采用二氧化锰。由于均以电解液作为负电极(注意区分电介质),电解电容器因而得名。有极性的电解电容通常在电源电路或中频、低频电路中起到滤波,退耦,信号耦合以及时间常数设定、隔直通交等作用。金属氧化物具有单向导电性。
  电解电容和陶瓷电容的区别? 电解电容的正级是用铝带卷成一个筒后,放在铝壳内。这种方法在获得大容量对的同时,也带来了很多缺陷。其中一个问题就是电解电容的等效电感比较大。而瓷片电容是“平板”结构的电容,简单的说就是在两个平行金属片板上引出的脚,中间利用绝缘材料隔离形成电容。这种电容的容量小,但容量稳定,而且等效电感比较小。一个元件用在什么场合,等效电感是一个重要的参数。从以上知,电解电容的等效电感较大,决定了它不能用于高频场合,频率越高电感的影响就越明显。电解电容应用的最大频率一般为500KHz的场合,因此一般适用于低频的滤波电路中。而瓷片电容的等效电感小,故可以应用于高频场合,工作频率可以达到百兆以上,因此一般适用于高频滤波电路。典型应用是两者结合,在电源的输出端一个电解电容和一个瓷片电容并联使用,即“高低搭配”,以取得更好的滤波效果。26. 电解电容和陶瓷电容的区别? 电解电容的正级是用铝带卷成一个筒后,放在铝壳内。这种方法在获得大容量对的同时,也带来了很多缺陷。其中一个问题就是电解电容的等效电感比较大。而瓷片电容是“平板”结构的电容,简单的说就是在两个平行金属片板上引出的脚,中间利用绝缘材料隔离形成电容。这种电容的容量小,但容量稳定,而且等效电感比较小。一个元件用在什么场合,等效电感是一个重要的参数。从以上知,电解电容的等效电感较大,决定了它不能用于高频场合,频率越高电感的影响就越明显。电解电容应用的最大频率一般为500KHz的场合,因此一般适用于低频的滤波电路中。而瓷片电容的等效电感小,故可以应用于高频场合,工作频率可以达到百兆以上,因此一般适用于高频滤波电路。典型应用是两者结合,在电源的输出端一个电解电容和一个瓷片电容并联使用,即“高低搭配”,以取得更好的滤波效果。
  高频下瓷片电容1000pF和10μF的区别?在电容一定的条件下,频率越高,越容易通过,即阻抗越小。 在频率一定的条件下,电容越大,越容易通过,即阻抗越小。 解释可以利用公式:X=1/(2πfc)27. 高频下瓷片电容1000pF和10μF的区别?在电容一定的条件下,频率越高,越容易通过,即阻抗越小。 在频率一定的条件下,电容越大,越容易通过,即阻抗越小。 解释可以利用公式:X=1/(2πfc)
  功率放大器的分类:甲类:整个工作周期类晶体管的集电极电流始终是流通的状态。放大器的效率最低,但非线性失真相对较小。一般用于对失真比较敏感的场合,比如HIFI音响。乙类:半个周期工作,半个周期截止。乙类工作状态又称为B类状态。两只互补的晶体管推挽工作,效率比甲类功放高,但存在交越失真的问题。一般功率放大器都采用这种形式。甲乙类:它是介于甲类和乙类之间的工作状态,即晶体管工作周期大于半周期,这种功放的特性介于甲类和乙类之间。丙类:晶体管的工作时间小于半个周期,丙类一般用于高频谐振的功放。丁类:把声音信号调制为PWM形式,晶体管工作在开关状态,输出端通过LC滤波恢复信号波形,效率高,体积小,高频特性差,用于小型电池供电以及要求高效率的场合。28功率放大器的分类:甲类:整个工作周期类晶体管的集电极电流始终是流通的状态。放大器的效率最低,但非线性失真相对较小。一般用于对失真比较敏感的场合,比如HIFI音响。乙类:半个周期工作,半个周期截止。乙类工作状态又称为B类状态。两只互补的晶体管推挽工作,效率比甲类功放高,但存在交越失真的问题。一般功率放大器都采用这种形式。甲乙类:它是介于甲类和乙类之间的工作状态,即晶体管工作周期大于半周期,这种功放的特性介于甲类和乙类之间。丙类:晶体管的工作时间小于半个周期,丙类一般用于高频谐振的功放。丁类:把声音信号调制为PWM形式,晶体管工作在开关状态,输出端通过LC滤波恢复信号波形,效率高,体积小,高频特性差,用于小型电池供电以及要求高效率的场合。
  同相比例放大器和反相比例放大器各有什么特点? 1.同相放大器的最大的优点就是输入阻抗接近无穷大,常常作为电压跟随器使用,进行隔离。反相放大器的最大的优点是输入端的正反相电位差接近为0,只存在差模信号,抗干扰能力强2.同相放大器的最大缺点是输入没有“虚地”,存在较大的共模电压,抗干扰的能力较差,使用时,要求运放有较高的共模抑制比。反相放大器的最大缺点是输入的阻抗很小,等于信号输入端的串联电阻阻值。 3.同相运算放大电路,引入的电压串联负反馈。反相运算放大电路,引入的电压并联负反馈 4.同相和反相的输出电阻都基本为0。因为引入了深度电压负反馈。5.共同遵循“虚断”,“虚地”分析规则,也是电路的分析的手段29. 同相比例放大器和反相比例放大器各有什么特点? 1.同相放大器的最大的优点就是输入阻抗接近无穷大,常常作为电压跟随器使用,进行隔离。反相放大器的最大的优点是输入端的正反相电位差接近为0,只存在差模信号,抗干扰能力强2.同相放大器的最大缺点是输入没有“虚地”,存在较大的共模电压,抗干扰的能力较差,使用时,要求运放有较高的共模抑制比。反相放大器的最大缺点是输入的阻抗很小,等于信号输入端的串联电阻阻值。 3.同相运算放大电路,引入的电压串联负反馈。反相运算放大电路,引入的电压并联负反馈 4.同相和反相的输出电阻都基本为0。因为引入了深度电压负反馈。5.共同遵循“虚断”,“虚地”分析规则,也是电路的分析的手段
  晶振和时钟芯片的区别?晶振是产生稳定的频率用的。不需输入,频率稳定度由石英晶体决定。时钟芯片是以输入频率做基础,再依此作除频、倍频、pll等等,产生出处理器与主板各部分所需的频率。它的输出频率稳定度是由输入频率决定的。因此,时钟芯片如要有精确、稳定的输出,就需要精确、稳定的输入,这就需要用到晶振了。30.晶振和时钟芯片的区别?晶振是产生稳定的频率用的。不需输入,频率稳定度由石英晶体决定。时钟芯片是以输入频率做基础,再依此作除频、倍频、pll等等,产生出处理器与主板各部分所需的频率。它的输出频率稳定度是由输入频率决定的。因此,时钟芯片如要有精确、稳定的输出,就需要精确、稳定的输入,这就需要用到晶振了。
  电感量和电感饱和的分析电感饱和的原因是因为电流的增大,导致磁场强度H增大,B值一定,则u磁导率减小,根据电感决定表达式:L=N^2us/l 所以L会急剧减小。因此,电感的饱和电流要大于正常工作的电流。空心线圈结构的电感可认为不会饱和,带铁芯回路的电感存在饱和,电感L随着磁路的饱和而变小电感绕组的等效匝数用N表示,等效磁路长度用l表示,通入的电流为I,磁路的等效截面积为S,μ为磁导率,∅是磁通,B是磁感应强度,H为磁场强度。31电感量和电感饱和的分析电感饱和的原因是因为电流的增大,导致磁场强度H增大,B值一定,则u磁导率减小,根据电感决定表达式:L=N^2us/l 所以L会急剧减小。因此,电感的饱和电流要大于正常工作的电流。空心线圈结构的电感可认为不会饱和,带铁芯回路的电感存在饱和,电感L随着磁路的饱和而变小电感绕组的等效匝数用N表示,等效磁路长度用l表示,通入的电流为I,磁路的等效截面积为S,μ为磁导率,∅是磁通,B是磁感应强度,H为磁场强度。
  IIC需要接上拉电阻吗?由于一些单片机IO口内部设置了 上拉电阻,有些能力够,可以不加,能力不够的需要加。在这种情况下,要看单片机是否具有标准的IIC接口。如果单片机使用了标准IIC接口,那么接口在使能时,引脚将进入漏极开路模式,可以省去外部接入的上拉电阻。但如果是使用的单片机的引脚模拟IIC协议,就需要结合单片机的引脚是否支持漏极开路模式或者上拉模式进行判断,一般是需要接入上拉电阻的。同时,加入上拉电阻可以起到保护作用,由于IIC接口在工作时,主要负责的是对高低电平检测作用,一旦没有了上拉电阻的保护而直接接电源,出现器件都拉低时,整个系统就非常危险。根据IIC总线规范,总线在空闲是两根线上必须都为高电平。本身无法输出高电平,所以只能通过外接上拉实现。
  内存RAM和ROM之间的区别?1.ROM和RAM都是一种存储技术,只是两者原理不同,RAM为随机存储,掉电不会保存数据,而ROM可以在掉电的情况下,依然保存原有的数据。ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是:ROM是Read Only Memory的意思,也就是说这种存储器只能读,不能写。而RAM是Random Access Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存,而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备。RAM则可以随机读写。2.通俗的说,比如在电脑中,大家都知道有内存和硬盘之说,其实内存就是一种RAM技术,而ROM则类似于硬盘技术,两者都是存储器,只是RAM的速度要远远高于ROM的速度,在电脑日常操作中,很多程序都将临时运行的程序命令,存放在内存中,但一旦关机或者停电,内存里原本临时存储的程序信息将全部被清空,也就是内存只能临时存储东西,不能长久保存,而ROM则可以存储,即使掉电后也可以找到之前存储的文件,这也就是硬盘了。3.ROM是只读存储器(Read-Only Memory)的简称,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,并且资料不会因为电源关闭而消失。4.随机存取存储器(random access memory,RAM)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。5.存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理,随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM,DRAM)。
  CMOS电路的功耗:动态损耗、短路损耗、静态功耗动态损耗包括开关损耗(反转损耗),短路损耗(内部损耗)开关损耗:Pswitch=VDD^2Cloadf 它与电路的工作频率成正比,与负载电容成正比,与电压的平方成正比短路损耗:NMOS和PMOS管在某一时刻导通,这时就会出现电源到地的直流导通电流。静态功耗:在CMOS电路中,静态功耗主要是漏电流引起的功耗。对于常规CMOS电路,在稳态时不存在直流导通电流,理想情况下静态功耗为0,但是由于泄露电流的存在,使得CMOS电路的静态功耗并不为0。CMOS泄露电流主要包括:反偏PN结电流和MOS管的亚阈值电流。所以静态功耗主要由这两部分组成。对于深亚微米MOS器件,还存在很多二级效应引起的附加泄露电流。34.CMOS电路的功耗:动态损耗、短路损耗、静态功耗动态损耗包括开关损耗(反转损耗),短路损耗(内部损耗)开关损耗:Pswitch=VDD^2Cloadf 它与电路的工作频率成正比,与负载电容成正比,与电压的平方成正比短路损耗:NMOS和PMOS管在某一时刻导通,这时就会出现电源到地的直流导通电流。静态功耗:在CMOS电路中,静态功耗主要是漏电流引起的功耗。对于常规CMOS电路,在稳态时不存在直流导通电流,理想情况下静态功耗为0,但是由于泄露电流的存在,使得CMOS电路的静态功耗并不为0。CMOS泄露电流主要包括:反偏PN结电流和MOS管的亚阈值电流。所以静态功耗主要由这两部分组成。对于深亚微米MOS器件,还存在很多二级效应引起的附加泄露电流。
  在数字电路设计中,消除毛刺的方法是尽量采用同步电路,不使用组合逻辑电路做时钟和复位信号。35.在数字电路设计中,消除毛刺的方法是尽量采用同步电路,不使用组合逻辑电路做时钟和复位信号。
  引入串联反馈,闭环输入电阻比原放大电路输入电阻增大了约(1+AF)倍引入并联反馈,闭环输入电阻比原放大电路输入电阻减小了约(1+AF)倍引入电压反馈,闭环输出电阻比原放大电路输入电阻减小了约(1+AF)倍引入电流反馈,闭环输出电阻比原放大电路输入电阻增大了约(1+AF)倍 36.引入串联反馈,闭环输入电阻比原放大电路输入电阻增大了约(1+AF)倍引入并联反馈,闭环输入电阻比原放大电路输入电阻减小了约(1+AF)倍引入电压反馈,闭环输出电阻比原放大电路输入电阻减小了约(1+AF)倍引入电流反馈,闭环输出电阻比原放大电路输入电阻增大了约(1+AF)倍
  双向二极管的作用?这是双向稳压二极管,双向二极管的正反两个方向都有稳压作用,就如同两个稳压二极管反向串连,它的两端不论正反那个反向达到了稳定电压(既其中一个稳压极管)的反向击穿电压都可以使得其两端电压基本保持不变。主要的作用是过压保护,保护USB不被高压破坏。37.双向二极管的作用?这是双向稳压二极管,双向二极管的正反两个方向都有稳压作用,就如同两个稳压二极管反向串连,它的两端不论正反那个反向达到了稳定电压(既其中一个稳压极管)的反向击穿电压都可以使得其两端电压基本保持不变。主要的作用是过压保护,保护USB不被高压破坏
  USB2.0接口中电感的作用?加共模电感的作用主要是保证EMC测试能够通过,不加共模电感测试信号都不好。单纯的电感可以起到阻抗匹配的作用。38.USB2.0接口中电感的作用?加共模电感的作用主要是保证EMC测试能够通过,不加共模电感测试信号都不好。单纯的电感可以起到阻抗匹配的作用。
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