通常在理想状况下,如果mos管关断时是不流过电流的。但要注意到漏/源与衬底之间是两个pn结。即使mos管没有沟道,漏源之间还是有反向的饱和电流,这就是所谓的漏电流。当然,由于漏电流的存在,整个电路的静态功耗会有所增加。
泄漏电流主要是亚阈值电流,pn结反向饱和电流和栅极泄露电流组成,而亚阈值电流和pn结反向饱和电流占主要,温度升高,阈值电压降低,亚阈值电流增大,同时pn结反向饱和电流与温度成指数正比关系,那么温度升高,方向饱和电流加大。温度升高,热载流子效应加强,栅极泄露电流加大。总而言之,泄露电流随温度升高而升高,具体公式的话找本半导体物理器件的书看看。
通常在理想状况下,如果mos管关断时是不流过电流的。但要注意到漏/源与衬底之间是两个pn结。即使mos管没有沟道,漏源之间还是有反向的饱和电流,这就是所谓的漏电流。当然,由于漏电流的存在,整个电路的静态功耗会有所增加。
泄漏电流主要是亚阈值电流,pn结反向饱和电流和栅极泄露电流组成,而亚阈值电流和pn结反向饱和电流占主要,温度升高,阈值电压降低,亚阈值电流增大,同时pn结反向饱和电流与温度成指数正比关系,那么温度升高,方向饱和电流加大。温度升高,热载流子效应加强,栅极泄露电流加大。总而言之,泄露电流随温度升高而升高,具体公式的话找本半导体物理器件的书看看。
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