HIP2211和HIP2210的关键特性
1、15VDC自举电源最大电压（最大绝对值为120V HS）可支持100V半桥架构；
2、宽VDD电压，工作范围为6V至18V（最大绝对值为20V）；
3、HS引脚可承受高达-10V的电压和50V/ns电压转换速率；
4、集成0.5Ω典型自举二极管，无需使用外部分立二极管；
5、VDD和引导UVLO防止低栅极电压驱动NFET；
6、通过RDT引脚（仅适用于HIP2210）的可调死区时间延迟可防止击穿，单电阻可调范围为35ns至350ns。
HIP2211和HIP2210的关键特性
1、15VDC自举电源最大电压（最大绝对值为120V HS）可支持100V半桥架构；
2、宽VDD电压，工作范围为6V至18V（最大绝对值为20V）；
3、HS引脚可承受高达-10V的电压和50V/ns电压转换速率；
4、集成0.5Ω典型自举二极管，无需使用外部分立二极管；
5、VDD和引导UVLO防止低栅极电压驱动NFET；
6、通过RDT引脚（仅适用于HIP2210）的可调死区时间延迟可防止击穿，单电阻可调范围为35ns至350ns。
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