UFS和eMMC是闪存（ROM）的两种规格，通常我们所说手机存储数据的地方，在断电的前提下还能够保存数据的储存器，是手机文件的唯一存储设备，他的大小主要是影响手机数据存储得多还是少，读写速度可以左右加载速度的快和慢。目前市面上主流的闪存规格主要有两种，一种是由MMC制定的eMMC；另外一种是UFS，是一种基于UNIX文件系统的简称，要了解eMMC和UFS两种闪存之间的区别，我们首先要弄懂的就是什么是闪存。
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什么是闪存？
生活中我们经常会听到“这部手机内存是64GB的”之类的说法，实际上，这种说法并不准确。闪存和内存是两个完全不同的概念，学计算机学科的同学一定知道，内存（RAM）又被称为随机存储器，指的是一种易失性存储介质，具备通电可存储，断电数据丢失的特性。因为其读取速率都很高，所以就被用来存放cpu需要调用的数据。
而闪存指的则是只读存储器，属于一种非易失性介质，存放在ROM当中的数据可以被永久存储，并不会受到通断电的困扰。简单来理解就是，闪存负责存储我们日常下载的音乐、视频等数据，内存则是在应用执行时，作为应用数据的临时存放处。例如手机内存4GB+64GB，其中64GB就是闪存，即我们今天要讨论的eMMC和UFS所属范畴。
eMMC和UFS之间的区别
在外观与功能上面，UFS与eMMC没有明显的差异，对于eMMC实际上就是将Flash存储器和控制芯片封装到了一起，eMMC的起源要比UFS更早，早在2011年，Plam Pre等手机产品就已经用上eMMC了。
而随着UFS2.0实现量产以及手机处理器逐渐加入对UFS2.0的支持，主流的旗舰手机都开始转投UFS2.0闪存，而今年，UFS2.1也开始出现在一众的旗舰手机当中，成了一种新的潮流。之前UFS在市场一直没有被大规模使用，原因是UFS1.0相较于eMMC并没有实质上的优势，而如今的UFS2.0，理论带宽已经可以达到1.5GB/s，理论上比eMMC5.1的两倍还要快。
如果把UFS2.0和eMMC5.1比作车道的话，eMMC就是单向车道，车辆只能朝一个方向行驶，逆向车辆必须等待正在行驶的车辆全部跑完才能上路。而UFS不仅是双向车道，道路的宽度也比eMMC宽不止一倍，这样带来的效率提升可想而知。
UFS2.0和2.1之间有何不同？
实际上，UFS2.0拥有两种版本，一种是HS-G2，即我们常说的UFS 2.0，其理论带宽可以达到5.8Gbps，也就是超过了740MB/s，而另一种就是近年开始出现在市面上的HS-G3，可以称为UFS 2.1，即我们指的UFS2.1，理论贷款高达11.6Gbps，也就是1.5GB/s左右。因此，UFS2.0设备和UFS2.1设备之间的读写速度会显露出明显得差距。
除了这些，UFS HS-G3还新增了目标设备的多个启动器、UPIU的CMD优先级、使用写缓冲区SCSI CMD的FFU（现场固件更新）、在块大小方面的数据计数（在UPIU字段中更新）等方面的支持。虽然还没达到换代的标准，但进步已然不小。
不同闪存对体验究竟有没有影响？
谈到体验，我们就不得不提一下eMMC5.1、UFS2.0、UFS2.1三者实际使用时的速度。一般来说，eMMC5.1的速度会在200MB/s左右，UFS2.0则可以达到500MB/s左右，而UFS2.1的速度更是高达700+MB/s。单从数值上看，eMMC5.1和UFS2.1之间相差2倍之多。
对于手机来说，闪存会影响应用安装，文件存储，但对应用打开速度没多大影响，eMMC 5.1都被UFS 2.1吊打。在手机性能需求越来越高的年代，UFS闪存确实比eMMC闪存更适合用在高端手机上。
目前来说，人直观地感觉，ufs和emmc似乎是没多大差异，那是因为普通app基本小于100M，但当安装游戏之类大的，就会有大的感受，并且文件传输速度是有大的差异。实际上eMMC并不差，虽然被UFS暴虐，但它比上不足，比下有余，比大多数U盘的读写速度快多了，加上价格等因素考虑，eMMC仍是现在市场上最主流的应用存储选择，应该说至少还能用4年。
小白问个问题，不是说闪存是rom么，怎么那两张图上还能写入数据啊？
闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如存储卡和U盘。
内存（Memory）也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一 。。。
Emmc 单flash + controller 可靠度也很高但 ， SSD会需多颗 flashchip ，。 所以 SSD 类都比较快速， UFS 就多颗并 。 至于 SSD可能更快速
SSD 早期 pcie 后有 m2 前身为Next Generation Form Factor （NGFF），是计算机内部扩充卡及相关连接器规范。其采用了全新的物理布局和连接器，将取代PCI Express Mini及与PCIExpress Mini 相容的mSATA标准 M.2接口最多可提供PCI Express x4的带宽。
NVMe 和 AHCI 是一种储存装置传输控制标准，因此可以应用在不同连接器标准上，常见的应用就是计算机的储存装置”硬盘”，现在的硬盘型态可分为固态硬盘与传统马达式硬盘，与计算机连接的接口普遍有 SATA、M.2、PCIe三种，AHCI一般是使用在SATA接口的硬盘上，NVMe常见的是架构在 PCIe接口的 SSD上，选购时可以注意一下规格支持的传输协议是 AHCI还是 NVMe。
NVMe，与 AHCI（Advanced HostController Interface）进阶主机控制器接口的功能相同，但是 NVMe是具有优化与高性能的可扩展的主机控制器接口
==
Flash 一般是当 ROM 用， 要写 flash有分低压5v or 高压12v ， 要做高压可用 chargepump ， 还分 Nor or Nana type 。 还有 flash取代以前 EPROM（用UV） ， 一次都一整块 block ， 如果 EEPROM1bit 1bit 跟 flash一大区不同， flash一开始 data=ffh. 写入后变0 ，如果高温漏电会数据不见。 所以 flash有耐用问度。 很多 MCUflash 《80度 。 太高温会掉资料 。 NVM 还有其它 feRAM or 其它， 但flash 用最多。 一般DRAM工艺跟logic不同。 Flash工艺 跟logic比较能合。虽然VTH会有小差异但， 内建 flashMCU 可以。 反看内建 DRAM 很麻烦。 所以 embeddedDRAM工艺少见。 还有 flash晶格可靠度跟使用寿命有关系， 早期或便宜FLASH都当 MCUMTP rom 使用， 比 otp 好 但不能写太多次， 后来PROCESS 成熟才能当 百万次 read/writeflash 。 不过现在 flash SLC-》 mlc -》 tlc -》 QLC ， QLC 的 1bit =2^4 。 一个bit 当4 ，所以容量大， 但电路设计难做 ， 简单说分 16level 易出错 就 errorrate 很高 。 flash 还有写寿命， mlc tlc变差。 但是 1G =》 16G ， 因为变大， 所以被写到机会变低。 寿命还好 ， 好的 flashcontroller 会规画 就算坏掉， 也可避免使用， 有些厂就 512G flash 如YIELD不好。 干脆改 256G 用。 否则报废太浪费。。
UFS和eMMC是闪存（ROM）的两种规格，通常我们所说手机存储数据的地方，在断电的前提下还能够保存数据的储存器，是手机文件的唯一存储设备，他的大小主要是影响手机数据存储得多还是少，读写速度可以左右加载速度的快和慢。目前市面上主流的闪存规格主要有两种，一种是由MMC制定的eMMC；另外一种是UFS，是一种基于UNIX文件系统的简称，要了解eMMC和UFS两种闪存之间的区别，我们首先要弄懂的就是什么是闪存。
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什么是闪存？
生活中我们经常会听到“这部手机内存是64GB的”之类的说法，实际上，这种说法并不准确。闪存和内存是两个完全不同的概念，学计算机学科的同学一定知道，内存（RAM）又被称为随机存储器，指的是一种易失性存储介质，具备通电可存储，断电数据丢失的特性。因为其读取速率都很高，所以就被用来存放cpu需要调用的数据。
而闪存指的则是只读存储器，属于一种非易失性介质，存放在ROM当中的数据可以被永久存储，并不会受到通断电的困扰。简单来理解就是，闪存负责存储我们日常下载的音乐、视频等数据，内存则是在应用执行时，作为应用数据的临时存放处。例如手机内存4GB+64GB，其中64GB就是闪存，即我们今天要讨论的eMMC和UFS所属范畴。
eMMC和UFS之间的区别
在外观与功能上面，UFS与eMMC没有明显的差异，对于eMMC实际上就是将Flash存储器和控制芯片封装到了一起，eMMC的起源要比UFS更早，早在2011年，Plam Pre等手机产品就已经用上eMMC了。
而随着UFS2.0实现量产以及手机处理器逐渐加入对UFS2.0的支持，主流的旗舰手机都开始转投UFS2.0闪存，而今年，UFS2.1也开始出现在一众的旗舰手机当中，成了一种新的潮流。之前UFS在市场一直没有被大规模使用，原因是UFS1.0相较于eMMC并没有实质上的优势，而如今的UFS2.0，理论带宽已经可以达到1.5GB/s，理论上比eMMC5.1的两倍还要快。
如果把UFS2.0和eMMC5.1比作车道的话，eMMC就是单向车道，车辆只能朝一个方向行驶，逆向车辆必须等待正在行驶的车辆全部跑完才能上路。而UFS不仅是双向车道，道路的宽度也比eMMC宽不止一倍，这样带来的效率提升可想而知。
UFS2.0和2.1之间有何不同？
实际上，UFS2.0拥有两种版本，一种是HS-G2，即我们常说的UFS 2.0，其理论带宽可以达到5.8Gbps，也就是超过了740MB/s，而另一种就是近年开始出现在市面上的HS-G3，可以称为UFS 2.1，即我们指的UFS2.1，理论贷款高达11.6Gbps，也就是1.5GB/s左右。因此，UFS2.0设备和UFS2.1设备之间的读写速度会显露出明显得差距。
除了这些，UFS HS-G3还新增了目标设备的多个启动器、UPIU的CMD优先级、使用写缓冲区SCSI CMD的FFU（现场固件更新）、在块大小方面的数据计数（在UPIU字段中更新）等方面的支持。虽然还没达到换代的标准，但进步已然不小。
不同闪存对体验究竟有没有影响？
谈到体验，我们就不得不提一下eMMC5.1、UFS2.0、UFS2.1三者实际使用时的速度。一般来说，eMMC5.1的速度会在200MB/s左右，UFS2.0则可以达到500MB/s左右，而UFS2.1的速度更是高达700+MB/s。单从数值上看，eMMC5.1和UFS2.1之间相差2倍之多。
对于手机来说，闪存会影响应用安装，文件存储，但对应用打开速度没多大影响，eMMC 5.1都被UFS 2.1吊打。在手机性能需求越来越高的年代，UFS闪存确实比eMMC闪存更适合用在高端手机上。
目前来说，人直观地感觉，ufs和emmc似乎是没多大差异，那是因为普通app基本小于100M，但当安装游戏之类大的，就会有大的感受，并且文件传输速度是有大的差异。实际上eMMC并不差，虽然被UFS暴虐，但它比上不足，比下有余，比大多数U盘的读写速度快多了，加上价格等因素考虑，eMMC仍是现在市场上最主流的应用存储选择，应该说至少还能用4年。
小白问个问题，不是说闪存是rom么，怎么那两张图上还能写入数据啊？
闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如存储卡和U盘。
内存（Memory）也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一 。。。
Emmc 单flash + controller 可靠度也很高但 ， SSD会需多颗 flashchip ，。 所以 SSD 类都比较快速， UFS 就多颗并 。 至于 SSD可能更快速
SSD 早期 pcie 后有 m2 前身为Next Generation Form Factor （NGFF），是计算机内部扩充卡及相关连接器规范。其采用了全新的物理布局和连接器，将取代PCI Express Mini及与PCIExpress Mini 相容的mSATA标准 M.2接口最多可提供PCI Express x4的带宽。
NVMe 和 AHCI 是一种储存装置传输控制标准，因此可以应用在不同连接器标准上，常见的应用就是计算机的储存装置”硬盘”，现在的硬盘型态可分为固态硬盘与传统马达式硬盘，与计算机连接的接口普遍有 SATA、M.2、PCIe三种，AHCI一般是使用在SATA接口的硬盘上，NVMe常见的是架构在 PCIe接口的 SSD上，选购时可以注意一下规格支持的传输协议是 AHCI还是 NVMe。
NVMe，与 AHCI（Advanced HostController Interface）进阶主机控制器接口的功能相同，但是 NVMe是具有优化与高性能的可扩展的主机控制器接口
==
Flash 一般是当 ROM 用， 要写 flash有分低压5v or 高压12v ， 要做高压可用 chargepump ， 还分 Nor or Nana type 。 还有 flash取代以前 EPROM（用UV） ， 一次都一整块 block ， 如果 EEPROM1bit 1bit 跟 flash一大区不同， flash一开始 data=ffh. 写入后变0 ，如果高温漏电会数据不见。 所以 flash有耐用问度。 很多 MCUflash 《80度 。 太高温会掉资料 。 NVM 还有其它 feRAM or 其它， 但flash 用最多。 一般DRAM工艺跟logic不同。 Flash工艺 跟logic比较能合。虽然VTH会有小差异但， 内建 flashMCU 可以。 反看内建 DRAM 很麻烦。 所以 embeddedDRAM工艺少见。 还有 flash晶格可靠度跟使用寿命有关系， 早期或便宜FLASH都当 MCUMTP rom 使用， 比 otp 好 但不能写太多次， 后来PROCESS 成熟才能当 百万次 read/writeflash 。 不过现在 flash SLC-》 mlc -》 tlc -》 QLC ， QLC 的 1bit =2^4 。 一个bit 当4 ，所以容量大， 但电路设计难做 ， 简单说分 16level 易出错 就 errorrate 很高 。 flash 还有写寿命， mlc tlc变差。 但是 1G =》 16G ， 因为变大， 所以被写到机会变低。 寿命还好 ， 好的 flashcontroller 会规画 就算坏掉， 也可避免使用， 有些厂就 512G flash 如YIELD不好。 干脆改 256G 用。 否则报废太浪费。。
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