【产品简介】
OTP-638D2微机电温度传感器采用TO-46封装技术，由116个热电偶串联组成，吸收层区域为直径545微米，具有低噪声和快速响应的特性，非常适用于非接触式温度量测应用。
【性能参数】
［tr］参数Typ Unit Conditions ［/tr］灵敏度128 V/W 323K， 5-14μm
灵敏度TC0.14±0.05 %/K 25°C
热电堆电压2.4±0.7 mV Tb:50°C， Ta:25°C 5-14μm
活动区域直径545 μm
热电堆电阻115±35 KΩ 25°C
热电堆电阻TC0.1±0.05 %/K 25°C
时间常量17 ms
噪声电压42.9 nV/Hz1/2 r.m.s 300K
NEP 0.34 nW/Hz1/2 323K， 5-14μm
归一化探测率（D*） 1.43*108 cm*Hz1/2/W 323K， 5-14μm
热敏电阻100±5% KΩ 25°C
β值3964±0.5% K 25°C/100°C
视野90 o @50% target signal
截止波长《img widt heigh》 5±0.3 《img widt heigh》 《img widt heigh》 μm 《img widt heigh》 @25°C，
50% transmittance
【调试用V-T表】
［tr］输出电压［mV］ 典型输出电压数据（OTP-638D2） ver3.1 ［/tr］热敏电阻温度o ［ C］
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
51 4.875 4.796 4.717 4.637 4.557 4.476 4.394 4.311 4.228 4.145 4.060 3.975 3.890 3.803 3.716 3.628 3.540 3.451 3.361 3.271 3.180 3.088 2.995 2.902 2.808 2.714
52 4.989 4.911 4.832 4.752 4.671 4.590 4.508 4.426 4.343 4.259 4.175 4.090 4.004 3.918 3.831 3.743 3.655 3.565 3.476 3.385 3.294 3.202 3.110 3.017 2.923 2.828
53 5.105 5.026 4.947 4.867 4.787 4.706 4.624 4.541 4.458 4.375 4.290 4.205 4.119 4.033 3.946 3.858 3.770 3.681 3.591 3.501 3.410 3.318 3.225 3.132 3.038 2.944
54 5.221 5.142 5.063 4.983 4.903 4.822 4.740 4.657 4.574 4.491 4.406 4.321 4.235 4.149 4.062 3.974 3.886 3.797 3.707 3.617 3.526 3.434 3.341 3.248 3.154 3.060
55 5.338 5.259 5.180 5.100 5.020 4.938 4.857 4.774 4.691 4.607 4.523 4.438 4.352 4.266 4.179 4.091 4.003 3.914 3.824 3.734 3.643 3.551 3.458 3.365 3.271 3.177
【调试用R-T表】
R-T characteristics R25=100000Ω±5% （25°C） B25/100=3964K±0.5%
［tr］TEMP RESISTANCE ［/tr］ （Ω）
（°C） MIN. CENTER. MAX.
-20 898320 926920 956040
-19 849360 876150 903420
-18 803340 828450 854000
-17 760080 783620 807560
-16 719390 741470 763910
-15 681120 701820
【产品简介】
OTP-638D2微机电温度传感器采用TO-46封装技术，由116个热电偶串联组成，吸收层区域为直径545微米，具有低噪声和快速响应的特性，非常适用于非接触式温度量测应用。
【性能参数】
［tr］参数Typ Unit Conditions ［/tr］灵敏度128 V/W 323K， 5-14μm
灵敏度TC0.14±0.05 %/K 25°C
热电堆电压2.4±0.7 mV Tb:50°C， Ta:25°C 5-14μm
活动区域直径545 μm
热电堆电阻115±35 KΩ 25°C
热电堆电阻TC0.1±0.05 %/K 25°C
时间常量17 ms
噪声电压42.9 nV/Hz1/2 r.m.s 300K
NEP 0.34 nW/Hz1/2 323K， 5-14μm
归一化探测率（D*） 1.43*108 cm*Hz1/2/W 323K， 5-14μm
热敏电阻100±5% KΩ 25°C
β值3964±0.5% K 25°C/100°C
视野90 o @50% target signal
截止波长《img widt heigh》 5±0.3 《img widt heigh》 《img widt heigh》 μm 《img widt heigh》 @25°C，
50% transmittance
【调试用V-T表】
［tr］输出电压［mV］ 典型输出电压数据（OTP-638D2） ver3.1 ［/tr］热敏电阻温度o ［ C］
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
51 4.875 4.796 4.717 4.637 4.557 4.476 4.394 4.311 4.228 4.145 4.060 3.975 3.890 3.803 3.716 3.628 3.540 3.451 3.361 3.271 3.180 3.088 2.995 2.902 2.808 2.714
52 4.989 4.911 4.832 4.752 4.671 4.590 4.508 4.426 4.343 4.259 4.175 4.090 4.004 3.918 3.831 3.743 3.655 3.565 3.476 3.385 3.294 3.202 3.110 3.017 2.923 2.828
53 5.105 5.026 4.947 4.867 4.787 4.706 4.624 4.541 4.458 4.375 4.290 4.205 4.119 4.033 3.946 3.858 3.770 3.681 3.591 3.501 3.410 3.318 3.225 3.132 3.038 2.944
54 5.221 5.142 5.063 4.983 4.903 4.822 4.740 4.657 4.574 4.491 4.406 4.321 4.235 4.149 4.062 3.974 3.886 3.797 3.707 3.617 3.526 3.434 3.341 3.248 3.154 3.060
55 5.338 5.259 5.180 5.100 5.020 4.938 4.857 4.774 4.691 4.607 4.523 4.438 4.352 4.266 4.179 4.091 4.003 3.914 3.824 3.734 3.643 3.551 3.458 3.365 3.271 3.177
【调试用R-T表】
R-T characteristics R25=100000Ω±5% （25°C） B25/100=3964K±0.5%
［tr］TEMP RESISTANCE ［/tr］ （Ω）
（°C） MIN. CENTER. MAX.
-20 898320 926920 956040
-19 849360 876150 903420
-18 803340 828450 854000
-17 760080 783620 807560
-16 719390 741470 763910
-15 681120 701820
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