快恢复二极管是在P型、N型硅材料中增加了基区I，构成P—I—N硅片结构。由于基区很薄，反向恢复电荷很少，不仅大大减小了反向的恢复时间，还降低了瞬态正向电压，使管子能够承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间trr一般为几百纳秒，正向压降为0．6～0．7V，正向电流几安培至几千安培，反向峰值电压可可几百至几千伏。
超快恢复二极管则是在快恢复二极管的基础上发展而成的，其反向恢复电荷进一步减少，反向恢复时间trr可低至几十纳秒。
肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称，它的构造原理与普通PN结二极管有着很大区别：其内部是由阳极金属(用金、银、钼、铝等)、二氧化硅电场消除材料、N外延层材料、N型硅基片及阴极金属等构成，在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接
电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。由于肖特基二极管仅靠一种载流子(
电子)导电，其反向恢复时间缩短到10ns以内，正向导通压降仅为0．4V左右，整流电流却可达几百至几千安培，这些优良特性是普通二极管甚至快恢复二极管和超快恢复二极管所不具备的，特别适用于低电压、大电流的高频整流场合(如计算机开关电源中的+5V、+3．3V整流)，它的缺点是反向耐压较低，一般不超过200V(不过2004年安森美公司已经推出电流40A、最高耐压达250V的肖特基二极管：MBR40250)。附表是几类常用典型二极管的参数比较。
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