1.TTL电平：
输出高电平》2.4V，输出低电平《0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平》=2.0V，输入低电平《=0.8V，噪声容限是 0.4V。
2.CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3.电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样，所以互相连接时需 要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西！ 哈哈。..。.
4.TTL和COMS电路比较：
（1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
（2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短（5-10ns），但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长（25-50ns），但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
（3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：
（1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
（2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
（3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
（4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS
5.兼容性：
CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。所以，用TTL电平在条件允许下他们就可以兼容。要注意到他们的驱动能力是不一样的，CMOS的驱动能力会大一些，有时候TTL的低电平触发不了CMOS电路，有时CMOS的高电平会损坏TTL电路，在兼容性上需注意。
注：
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）
5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
1.TTL电平：
输出高电平》2.4V，输出低电平《0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平》=2.0V，输入低电平《=0.8V，噪声容限是 0.4V。
2.CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3.电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样，所以互相连接时需 要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西！ 哈哈。..。.
4.TTL和COMS电路比较：
（1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
（2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短（5-10ns），但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长（25-50ns），但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
（3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：
（1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
（2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
（3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
（4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS
5.兼容性：
CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。所以，用TTL电平在条件允许下他们就可以兼容。要注意到他们的驱动能力是不一样的，CMOS的驱动能力会大一些，有时候TTL的低电平触发不了CMOS电路，有时CMOS的高电平会损坏TTL电路，在兼容性上需注意。
注：
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）
5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
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