今天有个小伙伴留言说不明白 CCM 和 DCM 之间的区别，要如何区分这两种模式，我之前在网络上有看到一份关于 CCM 和 DCM 这两者之间的判别及分析的材料，个人感觉讲的还是比较到位的，所以分享出来，希望对留言的小伙伴有所帮助。
CCM 又称为连续导通模式，顾名思义就在在一个开关周期内，电感的电流是连续的，电流不会归 0，如果按照专业的将就是电感从不 “复位”。
DCM 被称为非连续导通模式，就是在开关周期内，电感电流总会回归到 0，也就是电感会被 “复位”。
这两种模式在波形上有明显的区别：
在变压器的初级电流，CCM 模式波形为梯形波，而 DCM 模式是三角波。
在变压器的次级整流管波形上，CCM 同样为梯形，而 DCM 则为三角波。
具体波形如下图所示：
在 MOS 关断的时候，Vds 的波形显示，MOS 上的电压远超过 Vin+Vf，这是因为，变压器的初级有漏感。漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。那么 MOS 关断过程中，漏感电流也是不能突变的。漏感的电流变化也会产生感应电动势，这个感应电动势因为无法被次级耦合而箝位，电压会冲的很高。那么为了避免 MOS 被电压击穿而损坏，我们都会在初级侧加了一个 RCD 吸收缓冲电路，把漏感能量先储存在电容里，然后通过 R 消耗掉。
当次级电感电流降到了零。这意味着磁芯中的能量已经完全释放了。那么因为二管电流降到了零，二极管也就自动截止了，次级相当于开路状态，输出电压也就不再返回初级了。由于此时 MOS 的 Vds 电压高于输入电压，所以在电压差的作用下，MOS 的结电容和初级电感发生谐振。谐振电流给 MOS 的结电容放电。Vds 电压开始下降，经过 1/4 之一个谐振周期后又开始上升。由于 RCD 箝位电路以及其它寄生电阻的存在，这个振荡是个阻尼振荡，幅度越来越小。
F1 比 F2 大很多（从波形上可以看出），这是由于漏感一般相对较小；同时由于 F1 所在回路阻抗比较小，谐振电流较大，所以能够很快消耗在等效电阻上，这也就是为什么 F1 所在回路很快就谐振结束的原因。
MOS 管在开通和关断瞬间寄生参数对波形影响：
DCM（Vds，Ip）
CCM（Vds，Ip）
次级输出电压（Vs，Is ，Vds）
不管是在 CCM 模式还是 DCM 模式，在 MOSFET 开通 ON 时刻，变压器副边都有震荡。主要原因是初次及之间的漏感+输出肖特基（或快恢复）结电容+输出电容谐振引起，在 CCM 模式下与肖特基的反向恢复电流也一些关系。故一般在输出肖特基上并联 - 一个 RC 来吸收，使肖特基应力减小。
不管是在 CCM 模式还是 DCM 模式，在 MOSFET 关断 OFF 时刻，变压器副边电流 IS 波形都有一些震荡。主要原因是次级电感+肖特基接电容+输出电容之间的谐振造成的。
RCD 吸收电路对 Vds 的影响
在 MOS 关断的时候，Vds 的波形显示，MOS 上的电压远超过 Vin+Vf！这是因为，变压器的初级有漏感。漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。那么 MOS 关断过程中，漏感电流也是不能突变的。漏感的电流变化也会产生感应电动势，这个感应电动势因为无法被次级耦合而箝位，电压会冲的很高。那么为了避免 MOS 被电压击穿而损坏，所以我们在初级侧加了一个 RCD 吸收缓冲电路，把漏感能量先储存在电容里，然后通过 R 消耗掉。
今天有个小伙伴留言说不明白 CCM 和 DCM 之间的区别，要如何区分这两种模式，我之前在网络上有看到一份关于 CCM 和 DCM 这两者之间的判别及分析的材料，个人感觉讲的还是比较到位的，所以分享出来，希望对留言的小伙伴有所帮助。
CCM 又称为连续导通模式，顾名思义就在在一个开关周期内，电感的电流是连续的，电流不会归 0，如果按照专业的将就是电感从不 “复位”。
DCM 被称为非连续导通模式，就是在开关周期内，电感电流总会回归到 0，也就是电感会被 “复位”。
这两种模式在波形上有明显的区别：
在变压器的初级电流，CCM 模式波形为梯形波，而 DCM 模式是三角波。
在变压器的次级整流管波形上，CCM 同样为梯形，而 DCM 则为三角波。
具体波形如下图所示：
在 MOS 关断的时候，Vds 的波形显示，MOS 上的电压远超过 Vin+Vf，这是因为，变压器的初级有漏感。漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。那么 MOS 关断过程中，漏感电流也是不能突变的。漏感的电流变化也会产生感应电动势，这个感应电动势因为无法被次级耦合而箝位，电压会冲的很高。那么为了避免 MOS 被电压击穿而损坏，我们都会在初级侧加了一个 RCD 吸收缓冲电路，把漏感能量先储存在电容里，然后通过 R 消耗掉。
当次级电感电流降到了零。这意味着磁芯中的能量已经完全释放了。那么因为二管电流降到了零，二极管也就自动截止了，次级相当于开路状态，输出电压也就不再返回初级了。由于此时 MOS 的 Vds 电压高于输入电压，所以在电压差的作用下，MOS 的结电容和初级电感发生谐振。谐振电流给 MOS 的结电容放电。Vds 电压开始下降，经过 1/4 之一个谐振周期后又开始上升。由于 RCD 箝位电路以及其它寄生电阻的存在，这个振荡是个阻尼振荡，幅度越来越小。
F1 比 F2 大很多（从波形上可以看出），这是由于漏感一般相对较小；同时由于 F1 所在回路阻抗比较小，谐振电流较大，所以能够很快消耗在等效电阻上，这也就是为什么 F1 所在回路很快就谐振结束的原因。
MOS 管在开通和关断瞬间寄生参数对波形影响：
DCM（Vds，Ip）
CCM（Vds，Ip）
次级输出电压（Vs，Is ，Vds）
不管是在 CCM 模式还是 DCM 模式，在 MOSFET 开通 ON 时刻，变压器副边都有震荡。主要原因是初次及之间的漏感+输出肖特基（或快恢复）结电容+输出电容谐振引起，在 CCM 模式下与肖特基的反向恢复电流也一些关系。故一般在输出肖特基上并联 - 一个 RC 来吸收，使肖特基应力减小。
不管是在 CCM 模式还是 DCM 模式，在 MOSFET 关断 OFF 时刻，变压器副边电流 IS 波形都有一些震荡。主要原因是次级电感+肖特基接电容+输出电容之间的谐振造成的。
RCD 吸收电路对 Vds 的影响
在 MOS 关断的时候，Vds 的波形显示，MOS 上的电压远超过 Vin+Vf！这是因为，变压器的初级有漏感。漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。那么 MOS 关断过程中，漏感电流也是不能突变的。漏感的电流变化也会产生感应电动势，这个感应电动势因为无法被次级耦合而箝位，电压会冲的很高。那么为了避免 MOS 被电压击穿而损坏，所以我们在初级侧加了一个 RCD 吸收缓冲电路，把漏感能量先储存在电容里，然后通过 R 消耗掉。
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