高功率硅开关应用示例
在实际应用、如时分双工(TDD)系统中,天线接口纳入了开关功能,以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。ADI专家称,该开关功能可直接在天线接口上使用(在功率相对较低的系统中,如图2所示),或在接收路径中使用(针对较高功率应用,如图3所示),以保证正确接至双工器。在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。
图2:天线开关
图3:LNA保护开关
基于PIN二极管的开关具备低插入损耗特性和高功率处理能力,一直是首选解决方案。然而,在大规模MIMO系统的设计中,它们需要高偏置电压以施加反向偏置(用于提供隔离)和高电流以施加正向偏置(用于实现低插入损耗),这就变成了缺点。下图表示了一款用于基于PIN二极管的开关及其外设的典型应用电路。三个分立的PIN二极管通过其偏置电源电路施加偏置,并通过一个高电压接口电路进行控制。
图4:PIN二极管开关
节省RF前端设计的偏置功率,这款器件有话讲
与此同时,ADI专家表示:“ADI RadioVerse ADRV9008/ADRV9009这一款全新的高功率硅开关十分适合大规模MIMO设计。它们依靠单5V电源供电运行,偏置电流小于1 mA,并且不需要外部组件或接口电路。”基于FET的电路可采用低偏置电流和低电源电压工作,因而将功耗拉低至可忽略的水平,并可在系统级上帮助热管理。除了易用性之外,该器件架构还可提供更好的隔离性能,因为在RF信号路径上纳入了更多的并联支路。
图5:ADI公司ADRV9008/ADRV9009硅开关示意图
通过并排对比了单层PCB设计上基于PIN二极管的开关和新型硅开关的印刷电路板(PCB)原图。与基于PIN二极管的开关相比,硅开关所占用的PCB 面积不到其1/10。ADI专家告诉笔者,这样可以大大简化电源要求,且不需要高功率电阻器,这也是采用ADI硅开关带来的好处之一。
图6:基于PIN二极管的开关设计与硅开关的并排比较
事实上,ADI的高功率硅开关能够处理高达80W的RF峰值功率,这足以满足大规模MIMO系统的峰值平均功率比要求,并留有裕量。下图罗列了ADI专为不同的功率级别和各种封装类型而优化的高功率硅开关系列。这些器件继承了硅技术的固有优势,而且与替代方案相比,可实现更好的ESD坚固性和降低部件与部件间的差异。
图7:ADI公司已推出高功率硅开关系列产品,轻松应对5G挑战
后记
大规模MIMO系统将继续发展,并将需要进一步提高集成度。ADI的新型高功率硅开关技术很适合多芯片模块(MCM)设计,将LNA一起集成,以提供面向TDD接收器前端的完整、单芯片解决方案。另外,ADI还将调高新设计的频率,并将引领针对毫米波5G系统的相似解决方案。随着ADI 将其高功率硅开关产品系列扩展到了X波段频率和更高的常用频段,电路设计人员和系统架构师还将在其他应用(例如相控阵系统)中受益于ADI新型硅开关。
高功率硅开关应用示例
在实际应用、如时分双工(TDD)系统中,天线接口纳入了开关功能,以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。ADI专家称,该开关功能可直接在天线接口上使用(在功率相对较低的系统中,如图2所示),或在接收路径中使用(针对较高功率应用,如图3所示),以保证正确接至双工器。在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。
图2:天线开关
图3:LNA保护开关
基于PIN二极管的开关具备低插入损耗特性和高功率处理能力,一直是首选解决方案。然而,在大规模MIMO系统的设计中,它们需要高偏置电压以施加反向偏置(用于提供隔离)和高电流以施加正向偏置(用于实现低插入损耗),这就变成了缺点。下图表示了一款用于基于PIN二极管的开关及其外设的典型应用电路。三个分立的PIN二极管通过其偏置电源电路施加偏置,并通过一个高电压接口电路进行控制。
图4:PIN二极管开关
节省RF前端设计的偏置功率,这款器件有话讲
与此同时,ADI专家表示:“ADI RadioVerse ADRV9008/ADRV9009这一款全新的高功率硅开关十分适合大规模MIMO设计。它们依靠单5V电源供电运行,偏置电流小于1 mA,并且不需要外部组件或接口电路。”基于FET的电路可采用低偏置电流和低电源电压工作,因而将功耗拉低至可忽略的水平,并可在系统级上帮助热管理。除了易用性之外,该器件架构还可提供更好的隔离性能,因为在RF信号路径上纳入了更多的并联支路。
图5:ADI公司ADRV9008/ADRV9009硅开关示意图
通过并排对比了单层PCB设计上基于PIN二极管的开关和新型硅开关的印刷电路板(PCB)原图。与基于PIN二极管的开关相比,硅开关所占用的PCB 面积不到其1/10。ADI专家告诉笔者,这样可以大大简化电源要求,且不需要高功率电阻器,这也是采用ADI硅开关带来的好处之一。
图6:基于PIN二极管的开关设计与硅开关的并排比较
事实上,ADI的高功率硅开关能够处理高达80W的RF峰值功率,这足以满足大规模MIMO系统的峰值平均功率比要求,并留有裕量。下图罗列了ADI专为不同的功率级别和各种封装类型而优化的高功率硅开关系列。这些器件继承了硅技术的固有优势,而且与替代方案相比,可实现更好的ESD坚固性和降低部件与部件间的差异。
图7:ADI公司已推出高功率硅开关系列产品,轻松应对5G挑战
后记
大规模MIMO系统将继续发展,并将需要进一步提高集成度。ADI的新型高功率硅开关技术很适合多芯片模块(MCM)设计,将LNA一起集成,以提供面向TDD接收器前端的完整、单芯片解决方案。另外,ADI还将调高新设计的频率,并将引领针对毫米波5G系统的相似解决方案。随着ADI 将其高功率硅开关产品系列扩展到了X波段频率和更高的常用频段,电路设计人员和系统架构师还将在其他应用(例如相控阵系统)中受益于ADI新型硅开关。
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