了解NAND闪存技术
根据特斯拉维修专家的说法,由于eMMC中的NAND闪存单元结构,在较旧的Model S和X组件中发现的基于嵌入式NAND的eMMC磨损。在一定程度上是对的。不同类型的NAND闪存技术具有不同(但始终是有限的)的P/E周期数或他人所称的“写入周期”。
SLC NAND闪存技术大约10万次P/E周期
MLC NAND闪存技术大约10 000-3500 P/E周期
TLC NAND闪存技术大约3000个P/E周期
QLC NAND闪存技术大约1000-100次P/E周期
这意味着一旦这些周期用完,驱动器将再也无法可靠地存储数据。根据特斯拉的报告,Hynix单元“针对eMMC中每个NAND闪存块,额定3,000个编程/擦除周期”。
要了解NAND闪存单元为何总是具备有限的P/E周期,必须了解其基础技术。NAND闪存是一种非易失性存储器(NVM)技术,它通过电荷陷阱技术或浮栅MOSFET晶体管将数据存储在制成的存储单元阵列中。通过在晶体管的控制栅极上施加高电压,同时将源极和漏极接地,沟道中的电子可以获得足够的能量来克服氧化物势垒,并从沟道移入浮栅。在浮栅中捕获电子的过程是闪存设备的编程(或“写入”)操作,该操作对应于逻辑位0。相反,擦除操作从浮栅中提取电子,从而切换存储在其中的数据NAND闪存单元磨损,因为编程和擦除周期最终会损坏浮栅和基板之间的隔离层。这减少了数据保留,并可能导致数据丢失或意外编程的单元。
了解NAND闪存技术
根据特斯拉维修专家的说法,由于eMMC中的NAND闪存单元结构,在较旧的Model S和X组件中发现的基于嵌入式NAND的eMMC磨损。在一定程度上是对的。不同类型的NAND闪存技术具有不同(但始终是有限的)的P/E周期数或他人所称的“写入周期”。
SLC NAND闪存技术大约10万次P/E周期
MLC NAND闪存技术大约10 000-3500 P/E周期
TLC NAND闪存技术大约3000个P/E周期
QLC NAND闪存技术大约1000-100次P/E周期
这意味着一旦这些周期用完,驱动器将再也无法可靠地存储数据。根据特斯拉的报告,Hynix单元“针对eMMC中每个NAND闪存块,额定3,000个编程/擦除周期”。
要了解NAND闪存单元为何总是具备有限的P/E周期,必须了解其基础技术。NAND闪存是一种非易失性存储器(NVM)技术,它通过电荷陷阱技术或浮栅MOSFET晶体管将数据存储在制成的存储单元阵列中。通过在晶体管的控制栅极上施加高电压,同时将源极和漏极接地,沟道中的电子可以获得足够的能量来克服氧化物势垒,并从沟道移入浮栅。在浮栅中捕获电子的过程是闪存设备的编程(或“写入”)操作,该操作对应于逻辑位0。相反,擦除操作从浮栅中提取电子,从而切换存储在其中的数据NAND闪存单元磨损,因为编程和擦除周期最终会损坏浮栅和基板之间的隔离层。这减少了数据保留,并可能导致数据丢失或意外编程的单元。
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