13、mos ( igbt )管的栅极驱动电路通常也含有较大的 di/dt 。
14、在大电流、高频高压回路内部不要放置小信号回路,如控制、模拟电路,以避免受到干扰。
15、减小易受干扰(敏感)信号回路面积和走线长度,以减小干扰。
16、小信号走线远离大 dv/dt 信号线(比如开关管的 C 极或 D 极,缓冲 (snubber) 和钳位网络),以降低耦合,可在中间铺地(或电源,总之是常电位信号)进一步降低耦合,铺地和地平面要良好接触。小信号走线同时也要尽量远离大 di/dt 的信号线,防止感性串扰。小信号走线最好不要走到大 dv/dt 信号的下方。小信号走线背面如果能够铺地(同性质地),也能降低耦合到的噪声信号。
17、比较好的做法是,在这些大 dv/dt 、 di/dt 信号走线(包括开关器件的 C/D 极、开关管散热器)的周围和背面铺地,将上下两层铺地用过孔连接,并将此地用低阻抗走线接到公共接地点(通常为开关管的 E/S 极,或取样电阻)。这样可以减小辐射 EMI 。要注意,小信号地一定不能接到此屏蔽地上,否则会引入较大干扰。大 dv/dt 走线通常会通过互容将干扰耦合到散热器及附近的地,最好将开关管散热器接到屏蔽地上,采用表贴开关器件也会降低互容,从而降低耦合。
18、易产生干扰的走线最好不要使用过孔,它会通过过孔干扰过孔所穿过的所有层。
19、屏蔽可以降低辐射 EMI ,但由于增大了对地的电容,会使传导 EMI (共模,或非本征差模)有所增大,不过只要屏蔽层接地得当,不会增大很多。实际设计中可权衡考虑。
20、要防止共阻抗干扰,采用一点接地,电源从一点引出。
21、开关电源通常有三种地:输入电源大电流地、输出电源大电流地、小信号控制地,地的连接方法见如下示意图:
13、mos ( igbt )管的栅极驱动电路通常也含有较大的 di/dt 。
14、在大电流、高频高压回路内部不要放置小信号回路,如控制、模拟电路,以避免受到干扰。
15、减小易受干扰(敏感)信号回路面积和走线长度,以减小干扰。
16、小信号走线远离大 dv/dt 信号线(比如开关管的 C 极或 D 极,缓冲 (snubber) 和钳位网络),以降低耦合,可在中间铺地(或电源,总之是常电位信号)进一步降低耦合,铺地和地平面要良好接触。小信号走线同时也要尽量远离大 di/dt 的信号线,防止感性串扰。小信号走线最好不要走到大 dv/dt 信号的下方。小信号走线背面如果能够铺地(同性质地),也能降低耦合到的噪声信号。
17、比较好的做法是,在这些大 dv/dt 、 di/dt 信号走线(包括开关器件的 C/D 极、开关管散热器)的周围和背面铺地,将上下两层铺地用过孔连接,并将此地用低阻抗走线接到公共接地点(通常为开关管的 E/S 极,或取样电阻)。这样可以减小辐射 EMI 。要注意,小信号地一定不能接到此屏蔽地上,否则会引入较大干扰。大 dv/dt 走线通常会通过互容将干扰耦合到散热器及附近的地,最好将开关管散热器接到屏蔽地上,采用表贴开关器件也会降低互容,从而降低耦合。
18、易产生干扰的走线最好不要使用过孔,它会通过过孔干扰过孔所穿过的所有层。
19、屏蔽可以降低辐射 EMI ,但由于增大了对地的电容,会使传导 EMI (共模,或非本征差模)有所增大,不过只要屏蔽层接地得当,不会增大很多。实际设计中可权衡考虑。
20、要防止共阻抗干扰,采用一点接地,电源从一点引出。
21、开关电源通常有三种地:输入电源大电流地、输出电源大电流地、小信号控制地,地的连接方法见如下示意图:
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