The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a silicon NPN phototransistor detector.
• Most Economical Optoisolator Choice for Medium Speed, Switching Applications
• Meets or Exceeds All JEDEC Registered Specifications 引用: M4N25设备由砷化镓红外发光二极管的光耦合到一个硅NPN光电晶体管探测器。
•最经济的中速的光隔离器选择，开关应用
•符合或超过所有JEDEC注册规格
M4N25管脚引脚定义说明：
PIN 1. LED ANODE
2. LED CATHODE
3. N.C.
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. BASE
引用: 1。 LED的阳极
2。 LED阴极
3。北卡罗来纳州
4。发射器
5。收藏家
6。基
M4N25内部结构图
Applications
• General Purpose Switching Circuits
• Interfacing and coupling systems of different potentials and impedances
• I/O Interfacing
• Solid State Relays
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)
引用: 应用
•通用开关电路
•接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
•I / O接口
•固态继电器
最大额定值（除非另有说明，TA= 25° C）
1. Isolation surge voltage is an internal device dielectric breakdown rating.
1. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Pins 4, 5 and 6 are common.
2. Refer to Quality and Reliability Section in Opto Data Book for information on test conditions.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)(1)
引用: 1。隔离的浪涌电压是内部设备的介质击穿评级。
1。对于这个测试，引脚1和2是常见的，而且是常见的引脚4,5和6。
2。测试条件的信息，请参阅第光电数据手册中的质量和可靠性。
电气特性（除非另有说明，TA= 25° C）
1. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).
2. Current Transfer Ratio (CTR) = IC/IF x 100%.
3. For test circuit setup and waveforms, refer to Figure 14.
4. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Pins 4, 5 and 6 are common.
引用: 1。设计规定的最小/最大的电气限制（如适用）。
2。电流传输比（CTR）= IC / IF× 100％。
3。测试电路的设置和波形，参见图14。
4。对于这个测试，引脚1和2是常见的，而且是常见的引脚4,5和6。
M4N25封装尺寸
Package Dimensions in Inches (mm)
