硅通孔（TSV）电镀

硅通孔（TSV）电镀的高可靠性是高密度集成电路封装应用中的一个有吸引力的热点。本文介绍了通过优化溅射和电镀条件对完全填充TSV的改进。特别注意具有不同种子层结构的样品。这些样品是通过不同的溅射和处理方法制造的，并伴有各种电镀轮廓的调整。通过X射线设备和扫描电子显微镜（SEM）观察并表征图像。结果表明，优化的溅射和电镀条件可以帮助改善TSV的质量，这可以解释为TSV结构的界面效应。

知识库（1月9）.docx (2021-1-9 10:19 上传)