功率密度
电机驱动器、太阳能逆变器和电源等等产品对功率芯片和模块的需求在不断增长,这拉动了在不增加封装尺寸的条件下对更高功率密度的需求。
设计师如何在保持封装鲁棒性和可靠性的同时,提高功率密度?首先,封装可以采用更大的引线框架面积,从而可以容纳诸如IGBT的更大的功率芯片。这也实现了较低的封装热阻,而有利于改善散热。
以意法半导体(ST)的新系统级封装(SiP)PWD13F60为例,它将4个功率MOSFET集成在了比同类电路小60%的封装内(图1)。PWD13F60封装集成了面向功率MOSFET的栅极驱动器、面向上侧驱动的自举二极管、交叉传导保护和欠压锁定。
图1:意法半导体的SiP解决方案,面向工业电机驱动器、灯镇流器、电源、转换器和逆变器应用
关断电路可保护功率开关,欠压锁定可防止低压故障。同样,自举二极管可减少物料清单(BOM),简化电路板布局。
它表明了封装选择对于最大限度地提高能效和适应广泛的供电电压范围为何至关重要。在此,还值得指出的是,封装的功率密度与散热条件的改善相辅相成。
功率密度
电机驱动器、太阳能逆变器和电源等等产品对功率芯片和模块的需求在不断增长,这拉动了在不增加封装尺寸的条件下对更高功率密度的需求。
设计师如何在保持封装鲁棒性和可靠性的同时,提高功率密度?首先,封装可以采用更大的引线框架面积,从而可以容纳诸如IGBT的更大的功率芯片。这也实现了较低的封装热阻,而有利于改善散热。
以意法半导体(ST)的新系统级封装(SiP)PWD13F60为例,它将4个功率MOSFET集成在了比同类电路小60%的封装内(图1)。PWD13F60封装集成了面向功率MOSFET的栅极驱动器、面向上侧驱动的自举二极管、交叉传导保护和欠压锁定。
图1:意法半导体的SiP解决方案,面向工业电机驱动器、灯镇流器、电源、转换器和逆变器应用
关断电路可保护功率开关,欠压锁定可防止低压故障。同样,自举二极管可减少物料清单(BOM),简化电路板布局。
它表明了封装选择对于最大限度地提高能效和适应广泛的供电电压范围为何至关重要。在此,还值得指出的是,封装的功率密度与散热条件的改善相辅相成。
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