批量微加工
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批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整个厚度用于构建微机械结构。[18]使用各种蚀刻工艺来加工硅。玻璃板或其他硅片的阳极键合可用于添加三维尺寸的特征并进行密封。批量微机械加工对于实现高性能的压力传感器和加速度计至关重要，而这种压力传感器和加速度计在1980年代和90年代改变了传感器行业。
表面微加工
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表面微加工使用沉积在基材表面上的层作为结构材料，而不是使用基材本身。[23]
表面微机械加工创建于1980年代后期，旨在使硅的微机械加工与平面集成电路技术更加兼容，其目标是在同一硅晶片上结合MEMS和集成电路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅层，该多晶硅层被图案化为可移动的机械结构，并通过牺牲性蚀刻下面的氧化物层来释放。叉指式梳状电极用于产生平面内力并以电容方式检测平面内运动。这种MEMS范例使制造低成本的加速度计成为可能适用于例如汽车安全气囊系统和其他性能低和/或高g-范围就足够的应用。ADI公司是表面微加工工业化的先驱，并实现了MEMS与集成电路的集成。 热氧化
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为了控制微米级和纳米级部件的尺寸，经常使用所谓的无蚀刻工艺。如Deal-Grove
模型所述，这种制造MEMS的方法主要依赖于硅的氧化。热氧化工艺用于通过高精度尺寸控制生产各种硅结构。包括光频率梳[24]和硅MEMS压力传感器[25]在内的设备已经通过使用热氧化工艺来微调一维或二维硅结构而生产出来。热氧化在硅纳米线的制造中具有特殊价值，硅纳米线被广泛用作机械和电子组件的MEMS系统。 高深宽比（HAR）硅微加工
体硅和表面硅微加工都用于传感器，喷墨喷嘴和其他设备的工业生产中。但是在许多情况下，这两者之间的区别已经减少。一种新的刻蚀技术，即深反应离子刻蚀，使结合体微加工和梳状结构的典型性能以及表面微加工的典型面内操作相结合成为可能。尽管在表面微机械加工中通常具有在2μm范围内的结构层厚度，但是在HAR硅微机械加工中，厚度可以为10至100μm。尽管还创建了用于批量硅片的工艺（SCREAM），但在HAR硅微加工中常用的材料是厚的多晶硅（称为Epi-Poly）和键合绝缘体上硅（SOI）晶圆。通过玻璃粉结合，阳极结合或合金结合来结合第二晶片被用于保护MEMS结构。集成电路通常不与HAR硅微加工结合使用。
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