内存接口
高速、高信号计数的并行存储器接口是GDDR6存储器接口的最好描述,在需要高内存带宽和低延迟的应用程序中,使用单端信令与DRAM内存通信。这里包含的应用程序包括汽车ADAS、图形/GPU、数据中心和AI/机器学习。
如图1所示,其存储器接口通道是指从控制器PHY到DRAM接收器的数据路径。它由控制器BGA封装、PCB和接收器封装组成。与通道相关的许多设计因素都会显著影响信号完整性。本文将讨论一些关键的设计注意事项。

图1:存储器接口通道(来源:Rambus)
控制器BGA封装采用倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)封装,因其具有高引脚密度和优越的供电网络寄生效应。高引脚密度的实现源于引脚以低至0.4mm的间距排布在区域阵列中。
正是由于可提供大量封装引脚,使得电源和接地路径可以并联到电路,从而降低穿过封装时的这些电路的电感。低电感路径会显著改善供电网络(PDN)的寄生效应。
FC-BGA封装是一种多层层压结构,其中包括了厚树脂芯、铜箔和介电层,如图2所示。介电层在封装中也称为积层,它被夹在铜箔之间。信号迹线和电源平面蚀刻在铜层上。

图2:4-2-4封装的横截面(来源:Rambus)
在核心中具有两个导体层并且在积层中有四个导体层的FC-BGA封装被称为4-2-4封装。倒装芯片ASIC通过焊球或铜柱贴装到BGA上。
GDDR6存储器子系统采用单端信号以16至20千兆位/秒(Gbps)的高数据速率传输数据。 高数据速率下的信号完整性受导体和电介质的材料特性影响。FC-BGA中的介电材料,继而PCB中的介电材料,会吸收来自信号传输线的磁能导致接收器处的信号强度降低。
内存接口
高速、高信号计数的并行存储器接口是GDDR6存储器接口的最好描述,在需要高内存带宽和低延迟的应用程序中,使用单端信令与DRAM内存通信。这里包含的应用程序包括汽车ADAS、图形/GPU、数据中心和AI/机器学习。
如图1所示,其存储器接口通道是指从控制器PHY到DRAM接收器的数据路径。它由控制器BGA封装、PCB和接收器封装组成。与通道相关的许多设计因素都会显著影响信号完整性。本文将讨论一些关键的设计注意事项。

图1:存储器接口通道(来源:Rambus)
控制器BGA封装采用倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)封装,因其具有高引脚密度和优越的供电网络寄生效应。高引脚密度的实现源于引脚以低至0.4mm的间距排布在区域阵列中。
正是由于可提供大量封装引脚,使得电源和接地路径可以并联到电路,从而降低穿过封装时的这些电路的电感。低电感路径会显著改善供电网络(PDN)的寄生效应。
FC-BGA封装是一种多层层压结构,其中包括了厚树脂芯、铜箔和介电层,如图2所示。介电层在封装中也称为积层,它被夹在铜箔之间。信号迹线和电源平面蚀刻在铜层上。

图2:4-2-4封装的横截面(来源:Rambus)
在核心中具有两个导体层并且在积层中有四个导体层的FC-BGA封装被称为4-2-4封装。倒装芯片ASIC通过焊球或铜柱贴装到BGA上。
GDDR6存储器子系统采用单端信号以16至20千兆位/秒(Gbps)的高数据速率传输数据。 高数据速率下的信号完整性受导体和电介质的材料特性影响。FC-BGA中的介电材料,继而PCB中的介电材料,会吸收来自信号传输线的磁能导致接收器处的信号强度降低。
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