LOCOS和STI的区别是什么

　　LOCOS：
　　硅局部氧化隔离（Local Oxidation of Silicon）技术，是20世纪70年代提出的一种CMOS硅工艺中常用的器件隔离技术。CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应 bird beak”）和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺受到很大的限制。

　　STI：
　　浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO₂，
　　浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，氧化硅平坦化。
　　1）槽刻蚀
　　（1）隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染
　　（2）氮化硅（Si₃N₄）淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光（CMP）中充当阻挡材料
　　（3）浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体离子刻蚀
　　2）氧化硅填充
　　（1）沟槽衬垫氧化硅：高温生长一层150A的氧化硅
　　（2）浅槽CVD氧化物填充：淀积氧化硅
　　3）氧化硅平坦化
　　所以：
　　.35um 用的是LOCOS工艺
　　.18 .13 用的是STI工艺

　　LOCOS和STI的区别：
　　LOCOS主要绝缘材料是生长SiO₂；STI主要绝缘材料是淀积SiO₂，所以LOCOS容易产生鸟嘴效应。