为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动
电路的设计上会采取一些加速措施。如下：
加速电路一
在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时，由于电容两端电压不能突变，上电瞬间电容如同短路，因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流，使晶体管迅速导通。之后，电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态。当晶体管的驱动电压突变为0时，还是因为电容电压不能突变，CB两端的电压加到VT1的发射结上，可以形成很大的反向基极抽取电流，使VT1迅速关闭并进入问题。
加速电路二
在加速电路二中，高速开关二极管IN4148与电阻R1的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供一个低阻抗的通路。
加速电路三
在加速电路三中，并联在基极电阻RB两端的高速开关二极管IN4148的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供通路，迅速释放基极与发射极间电容储存的电量，加快晶体管的关闭。
