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集成MOSFET如何提升功率密度

集成是固态电子产品的基础,将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展,功能密度不断提高,在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。
对产品开发人员来说,功率密度是一个始终存在的挑战,对各种电压下更高电流的需求(通常远低于系统总线)带来了对更小的降压稳压器的需求,这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器,将电压从高达48 V降至1 V,使其能够贴近负载点,且仍然可提供95%以上的能效。
高水平的集成和功率转换的结合并非传统上好的搭配,因为通常来说,两者所采用的流程并不完全兼容。在某些情况下,不可避免的妥协是可以容忍的,例如在相对较窄的输入电压范围内提供较低功率水平的DC / DC稳压器,或低功率能效可忽略不计的情况。不幸的是,对于系统开发人员来说,此类妥协也变得越来越难以容忍。
少数功率稳压器如今能提供良好的集成水平,但它们在性能和能效方面普遍较差。对于越来越多无法在此方面做出妥协的应用,这常常意味着集成水平可能受限于控制器和用于外部MOSFET的低端/高端驱动器。然而,理想的方案应该是将所有降压转换器功能集成到一个单一、小型以及高能效的器件中,集控制器、驱动器和MOSFET于一身,以提供更强大的整体系统优势。

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