受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的
开关电源效率和更佳的系统级可靠性。
高
电压（600V）氮化镓（GaN）高
电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式
电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生
电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，
MOSFET和绝缘栅双极晶体管（
IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。
