适用于低压电桥线性电流限制极低待机功耗短路保护双状态标志诊断（开漏）集成箝位
电路欠压保护ESD保护符合2002/95/EC欧洲指令
说明VN772K-E是由封装在标准SO-28封装中的三个单片芯片构成的设备：一个双高侧开关和两个低侧开关。双高压侧和低压侧开关均采用| STMicroelectronics VIPower制造 M0-3技术。该装置适用于驱动电桥结构的直流电动机，也可用作任何低压应用的四开关。
包裹
高压侧开关具有内置的热关机功能，以保护芯片不受过热影响，而电流限制器则可保护器件不受短路影响。提供状态输出以指示断开和接通状态下的开路负载和过热。低压侧开关有两种OMNIFET II型（全自动保护的VIPower功率MOSFET技术）。它们具有内置的热关机、线性电流限制和过电压钳位。热干预的故障反馈可以通过监测输入引脚的电压来检测。
方块图
开关时间波形
真值表
典型应用图
波形
SO-28包装尺寸
SO-28管道装运（无后缀）
磁带和卷盘装运（后缀“TR”）
