图 12:垂直输入信号和平面输入信号的(磁通密度)与环磁体位置
IC 位于南磁极。该处的垂直磁通在 Z 轴,只通过平面霍尔元件,而 X 轴处无垂直磁通。因此,各输出信道将输出与垂直磁通成正比的电压。Z 信道将输出正电压,而 X 信道为零伏特。 IC 位于南 - 北磁极转变处。现在的 Z 信道输出为零,而 X 信道输出正电压。 IC 位于北磁极,造成 Z 信道输出负电压,而 X 信道重回零电压。 IC 位于北 - 南磁极转变处。Z 信道输出重新归零,而 X 信道输出负电压。 相差
无论磁极距为多少,A1262 固有相差为 90°。但是,机械位置可影响相差。
如图 13 所示,传感器 IC 与旋转轴不对齐时(切向偏移),相差相较 90° 会偏离几度。相差转变的幅度取决于的机械偏移量。该示例中,由于偏移量较大、环形磁体直径小,影响被放大了。
图 13:相差随切向偏移变化 结论
A1262 包含新型垂直霍尔传感技术,为转动环形磁体和电机的应用提供理想解决方案。相比现有的双通道霍尔锁存器 IC,采用 A1262 进行设计就容易得多,整体系统配置和机械封装的限制更少、选择更多。二维双通道磁感应器 IC 提供绝无仅有的灵活性,减少了环形磁体目标输出正交的优化需求,同时,可选择两种不同的垂直感应轴,为 IC 和 PCB 安装提供更多选择。
设计者可在四种传感方向中任意选择,也可在表面贴装 (LH) 或通孔封装 (K) 之间选择。 无论环磁体如何设计,2D 传感提供固有的输出信号正交,可选择使用其他应用中现有的环磁体,或选择现成的环磁体。 与旧式双通道器件(包括采用 SOT 封装的器件)相比,X-Z 选项提供的是改进版 TEAG。 相较使用通孔 (SIP) 封装传感器的旧式器件,表面贴装器件面内传感功能的使用造就了更加小巧的设计、更轻质的系统和更精简的装配步骤。
图 12:垂直输入信号和平面输入信号的(磁通密度)与环磁体位置
IC 位于南磁极。该处的垂直磁通在 Z 轴,只通过平面霍尔元件,而 X 轴处无垂直磁通。因此,各输出信道将输出与垂直磁通成正比的电压。Z 信道将输出正电压,而 X 信道为零伏特。 IC 位于南 - 北磁极转变处。现在的 Z 信道输出为零,而 X 信道输出正电压。 IC 位于北磁极,造成 Z 信道输出负电压,而 X 信道重回零电压。 IC 位于北 - 南磁极转变处。Z 信道输出重新归零,而 X 信道输出负电压。 相差
无论磁极距为多少,A1262 固有相差为 90°。但是,机械位置可影响相差。
如图 13 所示,传感器 IC 与旋转轴不对齐时(切向偏移),相差相较 90° 会偏离几度。相差转变的幅度取决于的机械偏移量。该示例中,由于偏移量较大、环形磁体直径小,影响被放大了。
图 13:相差随切向偏移变化 结论
A1262 包含新型垂直霍尔传感技术,为转动环形磁体和电机的应用提供理想解决方案。相比现有的双通道霍尔锁存器 IC,采用 A1262 进行设计就容易得多,整体系统配置和机械封装的限制更少、选择更多。二维双通道磁感应器 IC 提供绝无仅有的灵活性,减少了环形磁体目标输出正交的优化需求,同时,可选择两种不同的垂直感应轴,为 IC 和 PCB 安装提供更多选择。
设计者可在四种传感方向中任意选择,也可在表面贴装 (LH) 或通孔封装 (K) 之间选择。 无论环磁体如何设计,2D 传感提供固有的输出信号正交,可选择使用其他应用中现有的环磁体,或选择现成的环磁体。 与旧式双通道器件(包括采用 SOT 封装的器件)相比,X-Z 选项提供的是改进版 TEAG。 相较使用通孔 (SIP) 封装传感器的旧式器件,表面贴装器件面内传感功能的使用造就了更加小巧的设计、更轻质的系统和更精简的装配步骤。