在将数据记录到SD卡时应该使用缓冲区吗?

如果发生了一些事情，例如卡或电池被删除，你将丢失所有缓冲数据。因此，由你来决定数据丢失是否比磨损更重要。由于你只写少量的数据，主要是一次一个块，你没有磨损整个卡与一个写。大多数现代卡都会使磨损变平。在它中存储二进制数据可能更容易。然后在保存到卡之前进行转换。6秒就足够了，所以你可以在数组填充后立即开始编写。你应该有足够的时间写下一段数据。

嗨，你还没有说明你的数据样本有多大。大多数文件系统都使用扇区缓冲器。这是没有数据被传送到媒体（磁盘或闪存）直到一个扇区被填充。直到发生这种情况，数据才会留在内存中。一些与集群缓冲区一起工作。你的文件系统是否有一个S？通常，一个F I l e C l o s e，然后F I e O p e n提交任何缓冲区，但是很耗时。我使用的文件系统实现了一个4K扇区缓冲区，所以1000字节的缓冲区不添加任何内容。并且实际上与存储扇区的操作不同步。你的SD卡最有可能是512E扇区。

感谢到目前为止的回复，这个建议很有帮助。我只是想确保，大约100000次写入是针对每个扇区，对吧，不是针对整个磁盘。数据表上说，我的4GB磁盘上大约有770万个扇区，所以在良好的磨损水平下，总共大约有100000*7700000次写入？为了回答T Yorky，我的传感器数据是6字节，我首先将其转换为三个整数，然后将包含时间戳的字符串和转换为字符的读数写到SD卡上。这总计每次写大约40个字符串-每8秒或任何采样间隔结束。我用于文件系统的库（Micro.Libraries for Application）确实具有刷新功能，但我想知道，如果我不关闭或刷新文件，SD卡会自动进入睡眠模式吗？不关闭文件和延迟刷新而不是缓冲区实现为字符串数组有什么好处？注意：我还有很多程序内存——使用大约45kB的128kBEDIT：还有一个大概的估计，通过缓冲写可以节省多少能量？除了不需要经常打开/关闭文件之外，我看不出有什么区别，但是刷新文件的能量应该大致相同，对吧？由于我只在8秒左右打开/关闭，而且我认为打开/关闭不需要那么长时间，因此我认为节能很小，这个推理是否正确？但是，TBH我不确定打开或关闭需要多长时间。

100000个是基于扇区的。磨损矫直是一个复杂的课题。我永远不会声称理解它！一些算法是简单地在多个Flash写入之后交换位址的XOR或XOR。一些设备只在一系列较低的块上实现磨损平衡，这些块由于FAT而倾向于遭受大量的写入。所以它可能不是简单的乘法，所以在填充扇区之前，512/40给出13个样本。每隔100秒左右需要一个扇区写入。请注意，当扇区被填充时。通常执行两次写入。一个用于数据和一个更新FAT。大多数文件系统在文件关闭之前不更新目录项。一个刷新确保了一个更新的“邮票”，它把所有的东西排列起来，目录。在此之前，数据有丢失的风险。SD卡太便宜了。为什么要担心？注意，在4K扇区，你的应用程序每13分钟更新一次。我会说不要使用你的程序Flash。这将在SD卡之前磨损！！！！规则写入确实消耗能量。如果使用框外文件系统，在这方面您有有限的灵活性。对于只有8K或16K RAM的设备，您的缓冲能力有限。T Yorky