sram nvSRAM
非易失性SRAM(nv SRAM)结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下,nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行并行随机访问读取和写入的速度最快为20 ns。
发生电源故障时,nv SRAM会自动将SRAM
数据的副本保存到非易失性存储器中,该数据将受到20多年的保护。SRAM和非易失性存储器之间的传输是完全并行的,从而允许在8 ms或更短的时间内完成操作,而无需任何用户干预。上电时,nv SRAM将数据返回给SRAM,并且系统从中断处继续操作。nv SRAM还提供用户控制的软件STORE和RECALL启动命令,以及大多数版本中的用户控制的硬件STORE命令。
CYPRESS
的nv SRAM具有行业标准的,符合RoHS的封装选项,例如TSOP,FBGA,SSOP和SOIC封装
Nv SRAM技术Nv SRAM的非易失性单元基于SONOS技术。他们利用Fowler-Nordheim隧穿(FN隧穿)的优势通过将电荷捕获在夹层氮化物层中来存储数据。FN隧道技术的主要优势在于,它可以大大提高NV耐久性,并大大降低磨损。SONOS技术的另一个优点是易于集成到CMOS中(仅两个附加的掩模)。这使得NV单元可以在每个存储位中紧邻6T SRAM单元放置,从而使SRAM到NV的传输全部并行进行,并且功耗非常低。
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Nv SRAM的主要功能· 64Kb至16Mb的设备
· 异步并行和ONFI 1.0接口选项
· 串行接口选项
· 存取时间低至20 ns
· 无限耐力
· 无需电池即可存储断电数据;符合RoHS
· 可选的实时时钟(RTC)
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