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陈游斗

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SOSCPWR=0还是驱动电阻?

在石英晶体接口上读过TB097。由于各种原因,包括功耗,它提倡使用驱动电阻。想使用石英晶体作为次级振荡器(低功率模式/计时)。在数据表或网络中没有发现K42 SOSCPWR比特的功耗后果:通过清除它、设置它并使用驱动电阻或两者的某种组合来达到更低的功耗吗?我问这个问题是因为不假设能测量差异。有一个5V系统。

回帖(4)

李铭鑫

2020-3-24 10:03:41
嗨,他们已经重新设计振荡器放大器在很长一段时间,使用更少的功率,据我所知,在没有运行在低功率模式下的串联电阻的操作,这已经到目前为止,为数个微控制器产品在PIC32 MZ和PIC32 MK F。AMILIES,晶体振荡器放大器根本不可用,必须用自备的外部振荡器代替。另外,新的小音叉型“手表”晶体被指定为低功率工作。示例:GEYY-KX-327 VT驱动电平规格:0.1 UW TYP,0.5 UW最大,而更多传统晶体在圆形CAN,可能有:驱动电平1μW最大。对这些电路进行测量可能是困难的,任何探针都可能改变电路的工作条件,除非非常低的电容活性P有人建议把振荡器信号路由到一个输出,而不分割,研究数字振荡器信号的标记/空间比。如果它是一个很好的50%占空比,它是好的。已经有很多关于这个主题的应用笔记,并且它们大多结束说。不久前,有一篇应用笔记,报告了用PIC器件进行的实际测试,我认为主要是16位器件,用于具有次级振荡器的低功率模式。迈西尔
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张丽

2020-3-24 10:16:47
微芯片没有公布低功率晶体振荡放大器的规范,因此没有理想的分析设计模型。您将需要求助于经验设计和测试方法。你将需要测试和测量导致低功率振荡器问题的主要和大多数次要条件。微芯片已经发表了许多关于振荡器电路设计的良好应用说明。您应该阅读所有这些,以及从其他控制器制造商和晶体供应商那里可以找到的任何其他内容。放大器。低泄漏电路布局是关键。许多设计将需要一个保护环围绕晶体元件,即使在低量制造。在极端情况下,没有焊料掩模、低泄漏层压材料和保形涂层。取决于您的强迫性性质,该列表可以相当长。
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何元

2020-3-24 10:31:07
@ Mysil,DAN1138谢谢设定期望。在《振荡器的电子学》(书)中,在一些关于晶体使用的PIC16F数据表的摘录和提到它们的触摸和GO结果之后,他们继续得出结论:“我们用分立晶体振荡器电路的经验已经被很好地检查过了”。一开始,“因为这样的原因,我们喜欢使用完整的振荡器模块,以获得防弹可靠性。”!!!很高兴知道。在其他地方,该书引用了部分EM7604(集成振荡器电路):超低功率,你可以连接大多数晶体,它将输出方波:没有其他组件需要。如果只是…GEYER KX-327 VT看起来不错,虽然ESR不清楚?
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肖舒

2020-3-24 10:49:56
你不需要一个串联或反馈电阻与次级振荡器,并保持负载上限在12pF和18pF之间。低功率设置应该在XLP指南中,但可能有点棘手。高功率设置将在1uA到10uA之间,取决于负载上限、供给和温度。记住,tb097虽然有很好的参考是一部几代老写的。顺便把板清洁。即使少量的OA助焊剂也会产生足够的泄漏来消除振荡。
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