1、消除栅极振荡,MOSFET的栅射(或栅源)极之间是容性结构,栅极回路的寄生电感又是不可避免的,如果没有栅极电阻,那栅极回路在激励下会产生很强的振荡,因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。
2、转移驱动器的功率损耗,电容电感都是无功元件,如果没有栅极电阻,驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上,使其温度上升很多。
3、调节功率开关器件的通断速度,栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高,从而产生较大的干扰。所以该电阻的取值要折中。
1、消除栅极振荡,MOSFET的栅射(或栅源)极之间是容性结构,栅极回路的寄生电感又是不可避免的,如果没有栅极电阻,那栅极回路在激励下会产生很强的振荡,因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。
2、转移驱动器的功率损耗,电容电感都是无功元件,如果没有栅极电阻,驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上,使其温度上升很多。
3、调节功率开关器件的通断速度,栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高,从而产生较大的干扰。所以该电阻的取值要折中。
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