4 结语
随着半导体工业突飞猛进的发展,芯片的集成度越来越高,其操作电压不断降低,这都导致集成电路在辐射条件下的可靠性下降,特别是以SEU为代表的软故障的影响不断加大,所以在用基于SRAM的FPGA实现系统的时候,必须采取容错措施。
以传统TMR的可靠性优势为基础,伴随着电子技术的发展以及实际需求的推动,出现了很多改进的TMR技术。总结了TMR技术存在的突出问题,研究了这些新方法,分析了其优势以及存在的问题并指出了相应的解决办法。TMR技术的发展应该以高效的实现方法及可靠性为方向,以稳健的评估策略为基础,根据所要达到的参数要求,以较高的自动化的方式在不同的粒度和布局上进行权衡而得到最终的TMR解决方案。
4 结语
随着半导体工业突飞猛进的发展,芯片的集成度越来越高,其操作电压不断降低,这都导致集成电路在辐射条件下的可靠性下降,特别是以SEU为代表的软故障的影响不断加大,所以在用基于SRAM的FPGA实现系统的时候,必须采取容错措施。
以传统TMR的可靠性优势为基础,伴随着电子技术的发展以及实际需求的推动,出现了很多改进的TMR技术。总结了TMR技术存在的突出问题,研究了这些新方法,分析了其优势以及存在的问题并指出了相应的解决办法。TMR技术的发展应该以高效的实现方法及可靠性为方向,以稳健的评估策略为基础,根据所要达到的参数要求,以较高的自动化的方式在不同的粒度和布局上进行权衡而得到最终的TMR解决方案。
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