随着
电源产业发展，人们对电源输出的效率要求越来越严格； 要求越来越高；低压大电流。
1在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。 快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低
2同步整流技术更适应现在的需求；同步整流技术采用通态电阻极低的电力MOSFET来取代整流二极管,能大大降低整流
电路的损耗,提高DC/DC变换器的效率, 满足低压、大电流整流器的需要。本文从分析《电力
电子技术》教材中同步整流电路的原理图着手,介绍了电力MOSFET的反向电阻工作区及同步整流技术的基本原理,并对同步整流电路中的驱动电路和栅极电压波形进行了分析。
同步整流的基本电路结构：
功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
使用同步整流方案输出电流大于2.5A,这样性价比可以体现出来；不然的话不如直接用肖特基；MP6908适合flyback Top 同步整流方案具有如下优势；
芯片描述
- MP6908是一个低电压降二极管仿真器IC。当与外部开关结合时， 以高效率取代肖特基二极管反激变换器。
- MP6908调节外部同步的正向下降整流器（SR）MOSFET至约40mV，其中一旦电压变为 阴性。
- MP6908可自行供应蓄电池充电应用电压低输出电压或高压侧整流 应用。可编程振铃检测电路防止
- MP6908开启 在不连续传导模式中出现错误（DCM）和准共振操作。
- MP6908可节省空间 TSOT23-6包装。
芯片特性
- 输出范围宽，低至0V高压侧无需辅助绕组或低侧整流响铃检测可防止误启动
- 在DCM和准共振期间操作与标准和逻辑等级SR一起工作
- 场效应晶体管 与能源之星兼容约30ns快速关闭和打开延迟约100μA静态电流
- 支持DCM、CCM和准共振操作支持高侧和低侧整改
- 在典型情况下，节能高达1.5W笔记本适配器提供TSOT23-6包装
连接特性
相对其它整流芯片来说；可以少一个副绕组；而且可以接高，接地；如下图；
