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单刀双掷开关ADRF5024怎么样?
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反射式
硅工艺
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ADRF5024 是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。
该开关的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz,提供优于 1.7 dB 的插入损耗和 35 dB 隔离性能。ADRF5024 的通过路径和热切换均具有 27 dBm 的射频(RF)输入功率处理能力。
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(1)
张一珠
2019-9-17 15:37:05
ADRF5024 在 +3.3 V 正电源电压和 -3.3 V 负电源电压下分别消耗 14 µA 和 120 µA 的低电流。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS) / 低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5024 与 ADRF5025(低频截止版本)引脚兼容,工作频率范围为 9 kHz 至 44 GHz。
ADRF5024 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于超宽带产品,RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗特性。有关更多详情,请参考“电气规格”部分、“典型性能参数”部分和“应用信息”部分。
ADRF5024 采用符合 RoHS 标准的 2.25 mm × 2.25 mm、12 引脚、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。
优势
· 超宽带频率范围:100 MHz 至 40 GHz
· 反射式设计
· 具有阻抗匹配的低插入损耗
o 1.0 dB(典型值) 至 18 GHz
o 1.4 dB(典型值) 至 40 GHz
o 1.7 dB(典型值) 至 44 GHz
· 不具有阻抗匹配的低插入损耗
o 0.9 dB(典型值) 至 18 GHz
o 1.7 dB(典型值) 至 40 GHz
o 2.1 dB(典型值) 至 44 GHz
· 高输入线性度
o P1dB:27.5 dBm(典型值)
o IP3:50 dBm(典型值)
· 高RF输入功率处理
o 通过路径:27 dBm
o 热切换:27 dBm
· 无低频杂散
· RF建立时间(50% VCTRL 至 0.1 dB 的最终 RF 输出):17 ns
· 12 引脚、2.25 mm × 2.25 mm LGA 封装
· 与 ADRF5025 低频截止版本引脚兼容
· 应用
· 开启 5G 时代
· 通信测试设备
· RF 信号分析仪和矢量网络分析仪
· 信号发生器(通过射频传输音频)
· 通信
adrf5024.pdf
ADRF5024 在 +3.3 V 正电源电压和 -3.3 V 负电源电压下分别消耗 14 µA 和 120 µA 的低电流。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS) / 低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5024 与 ADRF5025(低频截止版本)引脚兼容,工作频率范围为 9 kHz 至 44 GHz。
ADRF5024 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于超宽带产品,RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗特性。有关更多详情,请参考“电气规格”部分、“典型性能参数”部分和“应用信息”部分。
ADRF5024 采用符合 RoHS 标准的 2.25 mm × 2.25 mm、12 引脚、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。
优势
· 超宽带频率范围:100 MHz 至 40 GHz
· 反射式设计
· 具有阻抗匹配的低插入损耗
o 1.0 dB(典型值) 至 18 GHz
o 1.4 dB(典型值) 至 40 GHz
o 1.7 dB(典型值) 至 44 GHz
· 不具有阻抗匹配的低插入损耗
o 0.9 dB(典型值) 至 18 GHz
o 1.7 dB(典型值) 至 40 GHz
o 2.1 dB(典型值) 至 44 GHz
· 高输入线性度
o P1dB:27.5 dBm(典型值)
o IP3:50 dBm(典型值)
· 高RF输入功率处理
o 通过路径:27 dBm
o 热切换:27 dBm
· 无低频杂散
· RF建立时间(50% VCTRL 至 0.1 dB 的最终 RF 输出):17 ns
· 12 引脚、2.25 mm × 2.25 mm LGA 封装
· 与 ADRF5025 低频截止版本引脚兼容
· 应用
· 开启 5G 时代
· 通信测试设备
· RF 信号分析仪和矢量网络分析仪
· 信号发生器(通过射频传输音频)
· 通信
adrf5024.pdf
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