PA 的技术与运作PA的设计近年来由于在IC输出阻抗匹配线路之Q值不佳,所以多采用多芯片模块(MCU,Multi-Chip-Module)的结构,如图2。
图2 PA的功能方块图
依功能包括以下三大部份:
50Ω输入/输出匹配线路:以便与外围电路如压控振荡器、切换开关器(Switch)做适当的阻抗匹配与功率传送。
CMOS功率控制IC:此IC可说是PA模块的核心,其功能含:提供HBT IC直流偏压(DC-Bias)、频带选择(Band-Selection between GSM and DCS Band)、温度补偿、自我功率测量(确保PA所输出功率为基站需求值),输出功率调整(不同之输出功率等级调整)、功率开关(在传送与接收之间做切换)及保护装置电路(避免手机使用不当,而发生损坏之现象)。
GSM/DCS HBT PA IC:此HBT PA IC主要功能为射频信号的功率放大,目前手机PA都是利用砷化镓制程的异质结双数晶体管(GaAs Hetero-Junction-Bipolar-Transistor HBT)制造而成。在应用上,PA必须外加一控制回路才能使其运作完全符合E-GSM/DCS/PCS的标准,如图3。
PA 的技术与运作PA的设计近年来由于在IC输出阻抗匹配线路之Q值不佳,所以多采用多芯片模块(MCU,Multi-Chip-Module)的结构,如图2。
图2 PA的功能方块图
依功能包括以下三大部份:
50Ω输入/输出匹配线路:以便与外围电路如压控振荡器、切换开关器(Switch)做适当的阻抗匹配与功率传送。
CMOS功率控制IC:此IC可说是PA模块的核心,其功能含:提供HBT IC直流偏压(DC-Bias)、频带选择(Band-Selection between GSM and DCS Band)、温度补偿、自我功率测量(确保PA所输出功率为基站需求值),输出功率调整(不同之输出功率等级调整)、功率开关(在传送与接收之间做切换)及保护装置电路(避免手机使用不当,而发生损坏之现象)。
GSM/DCS HBT PA IC:此HBT PA IC主要功能为射频信号的功率放大,目前手机PA都是利用砷化镓制程的异质结双数晶体管(GaAs Hetero-Junction-Bipolar-Transistor HBT)制造而成。在应用上,PA必须外加一控制回路才能使其运作完全符合E-GSM/DCS/PCS的标准,如图3。