1 NAND Flash和NOR Flash
闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于
手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。与NOR F1ash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash的传输效率很高，但写入和擦除速度较低；而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点，在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。
结构：NOR Flash为并行，NAND Flash为串行。
总线：NOR Flash为分离的地址线和数据线，而NANDFlash为复用的。
尺寸：典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1／8。坏块：NAND器件中的坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
位交换：NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多，建议使用NAND闪存时，同时使用EDC／ECC算法。
使用方法：NOR Flash是可在芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中；而NAND Flash则需I／O接口，因此使用时需要写入驱动程序。
通过以上的分析和比较，NAND Flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用Samsung公司生产的NAND Flash存储器芯片K9F1208作为存储介质，并应用在基于uPSD3234A增强型8051
单片机的嵌入式系统中。
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