刘建峰，成立，杨宁，周洋，凌新，严鸣
(1．江苏大学 电气与信息工程学院，江苏镇江 212013；2．南通职业大学
电子工程系，江苏 南通 226007；3．镇江市312国道管理站，江苏 镇江 212001)
0 引言
随着无线
通信事业的飞速发展，产生了多种通信技术标准，诸如Bluetooth，GSM，WiFi，ZigBee等，通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看，由于调谐范围宽、可靠性高的射频(RF)芯片具有广泛的使用价值，所以是当前无线通信系统的设计热点之一。而作为无线RF收发芯片的核心部件的压控振荡器(VCO)，其性能好坏直接关系着RF芯片的质量。因此，多标准的通信技术对VCO提出高性能要求：获得更宽的调谐范围和更低的相位噪声(Nphase)。文献[1]介绍了一种增益可调节的CMOS LC VCO，但调节范围只有4.39～5.26 GHz，功耗为9.7 mW，在1 MHz偏频处Nphase为-113.7 dBc／Hz。文献[2]设计了一种采用正交耦合结构的CMOS VCO，其调谐范围也仅为3.6～4.9 GHz，功耗为8 mW，在1 MHz偏频处Nphase为-114 dBc／Hz。为了解决上述文献带宽较窄、Nphase值偏高的缺陷，特设计了一款0.35μm SiGe BiCMOS差分LC VCO。
举报
