从3G升级到LTE-Advance，对下一代移动
通信基础设施的设备和器件供应商提出了诸多挑战。下一代无线设备要求支持更宽的信号带宽、更复杂的调制方式，以便在全球范围内部署的各种运行频段上都能获得更高的数据速率。因此，噪声、信号线性度、功耗和外形尺寸等性能都非常关键，对这些性能的要求也更苛刻。此外，元器件供应商同样被要求降低元器件的成本和尺寸以支持更高密度的应用。
射频芯片(RF IC)设计师面临的挑战也将日益艰巨，因为集成方案必须具有或超过分立元器件实现的性能。在采用分立元器件实现方案时，系统设计师可以分别采取不同技术 (如GaAs、Si Bipolar或CMOS)进行最优化的设计。但对那些想通过单一工艺技术提供更高集成度的 RF IC设计师来说，选择最佳工艺技术所面临的最大挑战是灵活性。
在基站的发送器内，模拟I/Q调制器是决定发送信号路径的本底噪声和线性度的关键RF IC器件，不允许为降低尺寸、功耗或成本而牺牲性能。
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