基于硅LDMOS技术满足WiMAX基站要求

用于现代通信系统中的功率放大器(PA)一般是通过级联和并联多个RF晶体管来获得期望的固态增益和功率。与RF集成电路(RFIC)相比，虽然采用单级分离RF晶体管占用的PCB空间更多，但因具有宽广的阻抗匹配范围、优化性能以及架构选择，所以为PA设计提供了很大灵活性。但如何满足WiMAX基站系统对PA的高输出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文讨论的基于硅LDMOS技术的RFIC具有足够输出功率，能提供高于15%的效能，能满足3.8GHz WiMAX要求。
这款RFIC是采用飞思卡尔(Freescale)半导体公司的高压HV7 RF LDMOS工艺技术设计开发的MW7IC3825N/NB。这款两级RFIC具有驱动和输出两个级。考虑到WiMAX基站系统要求PA具有很大的输出功率、很低的失真以及很高的功效，所以把驱动器级设计成工作在最大功效，把最后级设计成使其能在功率和效率间具有最佳平衡，以把驱动器级的直流功耗降至最低。