随着现代无线
通信技术向高频、高速方向的发展,人们对高频通信常用的前置滤波器提出了更高的要求。目前射频系统中使用的带通滤波器主要有介质陶瓷滤波器和声表面波(SAW)滤波器[1]。由于介质陶瓷滤波器存在体积偏大和工艺兼容性差等问题,限制了其进一步的发展。尽管SAW滤波器能达到较高的Q值,几何尺寸也更小,但由于其叉指电极的指宽和间隙与工作频率成反比,增加了光刻工艺的难度,限制了其高频应用。因此,人们开始着手研究基于新材料、新结构的滤波器。
薄膜体声波谐振器(FBAR)是一种全新的射频滤波器[2]。FBAR器件尺寸远小于传统的基于电磁波的介质滤波器,其工作频率更高,且拥有更好的带外抑制性能和更低的插入损耗。相比于SAW滤波器,体声波滤波器在功率容量、滤波性能及频率温度系数等方面均有一定优势,而且其制作工艺与
半导体工艺兼容,在吉赫兹以上的高频应用中,体声波(BAw)滤波器正成为最佳的选择。