元器件选择
Rl-R4、R6-R9、Rll-R16和R18均选用1/4W碳膜电阻器;R5、RlO和R17均选用小型密封式可变电阻器。
Cl选用高频瓷介电容器;C2、C3、C5、C7-C9均选用耐压值为16V的铝电解电容器;C4选用涤纶电容器;C6选用压值为4oov的涤丝电容器或CBB电容器。
VDl和VD2均选用1N407型硅整流二极管,VD3和VD4选用1N4148型硅开关二极管。
VS选用lW、2OV的IN4747型稳压二极管。
Vl选用Sg018型硅NPN型高频晶体管;V2选用Sg012或Sg015型硅PNP型晶体管。
VT选用电流容量为lA、耐压值高于400V的晶刊管,例如MCRl00-6等型号。
元器件选择
Rl-R4、R6-R9、Rll-R16和R18均选用1/4W碳膜电阻器;R5、RlO和R17均选用小型密封式可变电阻器。
Cl选用高频瓷介电容器;C2、C3、C5、C7-C9均选用耐压值为16V的铝电解电容器;C4选用涤纶电容器;C6选用压值为4oov的涤丝电容器或CBB电容器。
VDl和VD2均选用1N407型硅整流二极管,VD3和VD4选用1N4148型硅开关二极管。
VS选用lW、2OV的IN4747型稳压二极管。
Vl选用Sg018型硅NPN型高频晶体管;V2选用Sg012或Sg015型硅PNP型晶体管。
VT选用电流容量为lA、耐压值高于400V的晶刊管,例如MCRl00-6等型号。
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